用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管

制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓度高达5×1020cm-3的掺碳 GaAs 材料也同样得到了理想系数为1.3的良好的 I—V 特性。用 EBIC

氟化物晶体中二价钇离子的光导和荧光特性

SrF2:Yb2+和 BaF2:Eu2+系统中的杂质薄膜激子导致了“异常”发射现象,这是这些材料的最低激发态,对这种“异常”发射进行光导测量是非常重要的。尤其是在SrF2:Yb2+光导谱中,对应于第一吸收带的两个带明显地分离。低温下,这两个带分别被确定为 Tm 自离化和激子能级。

大面积多晶硅太阳能电池的技术进展

本文讨论了熔炼的硅晶块和多晶硅太阳能电池的发展,介绍了用熔炼多晶硅做衬底的太阳能电池的性能状况。当电池面积为4cm^2和】100cm^2时,转换效率分别为17％和15％。用面积为100cm^2和225cm^2的电池证实了大面积太阳能电池的发展。对多晶硅太阳能电池的成本和投资回收时间进行了讨论。还介绍了其实际应用。

如何确定CRT的图象质量及系统性能

CRT 图象质量和系统性能的指标包括诸如分辨率(斑点尺寸和形状、线宽、MTF)、会聚度、亮度、动态范围、光栅形状、线性颜色纯度特性,等等。一旦确定了定义(可寻址象素,扫描速率,输入信号特性等),要实现这些性能就需要对屏幕尺寸。