SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究

SOI (Silicon-On-Insulator)高压LDMOS (Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semiconductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中。通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究。器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷,并在电场作用下发生漂移运动,从而诱发寄生三极管开启,导致器件发生单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)效应而失效。采取脉冲激光对SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点进行辐射试验,试验结果表明脉冲激光能量为2 n J时,SOI高压LDMOS器件未发生SEB效应,验证了脉冲激光模拟试验评估SOI LDMOS器件抗SEB能力的可行性。