沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。

碳源流量对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备碳纳米管薄膜。利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明,碳源气体流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳碳源流量为30 sccm。

氮气对碳纳米管生长的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.并利用扫描电镜对其进行表征.结果表明,氮气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,当氮气流量为10sccm时,能获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管.

刻蚀时间对碳纳米管形貌的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜。利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征,研究刻蚀时间对碳纳米管形貌的影响。结果表明:催化剂刻蚀时间对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,刻蚀时间为10 min时可获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管。

气体流量对碳纳米管制备的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:气体流量大小对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的合适比例是C2H2∶H2∶N2=30∶30∶10(sccm).

压强对PECVD制备碳纳米管的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.并通过扫描电镜拍摄其表征,系统、深入地研究了沉积压强对碳管形貌的影响.结果表明:沉积压强对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着重要作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳沉积压强是300 Pa.

著名中医李永寿疏调肝木法诊治经验

介绍李永寿教授疏调肝木法治疗脾胃气机升降的经验。李永寿教授认为肝主疏泄,脾胃是人体气机之枢纽,脾升胃降,中焦气机顺畅,肝气宣达,脾胃升降和顺;肝藏血,主疏泄,厥阴通过任脉与胞宫相连,司血海,调胞脉,肝主冲脉,致月经不调;情志不遂致情志抑郁或心烦易怒。以"疏调肝木、气机和畅、脏腑自安"为基本治疗原则,再根据临床辨证的不同加减,常用"疏肝解郁和胃、疏肝理气化痰、平肝降逆止呕、抑肝扶脾止痛、培土抑木止泻、疏肝益气健脾、滋阴疏肝和胃、疏肝除湿散满、清肝散郁和胃、化瘀疏肝和络、疏肝涤痰安神、疏肝理气利水法"治疗肝木不调诸病,临床效果良好。

名老中医李永寿辨治慢性萎缩性胃炎经验

跟师学习,总结所长;介绍李永寿教授疏肝通降对慢性萎缩性胃炎的治疗方法和经验。李永寿教授认为肝主疏泄,脾胃人体气机之枢纽,"以降为用",强调"疏肝和胃、理气通降"为基本治则,再根据临床辩证的不同加减;常用通补脾胃、柔肝养胃、清胃泻火、清热化湿、温清并用、活血化瘀6法治疗,临床收效良好。

碳纳米管的表征手段研究

碳纳米管可以近似看作由石墨的碳原子层卷曲而成的无缝、中空的管体.各种方法制备出来的碳纳米管在形态、用途等方面都不同.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射和激光拉曼光谱各种表征手段对碳纳米管的形态、结构等进行观察和分析.

催化剂种类对PECVD制备碳纳米管的影响

采用PEVCD技术,分别用Fe、Ni、Co作为催化剂,在Si基底上沉积出了不同形貌的碳纳米管.并用扫描电镜对碳纳米管的形貌进行了表征.而且深入研究了不同催化剂种类对碳纳米管生长的影响机理.结果表明:Ni是这3种催化剂中最适合沉积碳纳米管的催化剂.

儿童孤独症的特征及康复现状

儿童孤独症是一类以缺乏情感反应,语言发育障碍,刻板重复动作和对环境奇特的反应为特征的疾病。孤独症严重危害儿童身心健康,孤独症儿童康复问题已引起全社会的广泛关注。为做好孤独症儿童的康复工作,探索孤独症儿童康复训练工作模式和方法,对近年来儿童孤独症的病因研究、临床表现、诊断方法、常用临床治疗方法、康复训练干预手段、疗效等研究现况进行综述,为儿童孤独症的治疗和康复训练提供理论依据。

中教法实验教学改进措施

针对目前一些师范院校所开设的中教法实验这一门课程,在实际教学中存在的一些问题,提出了一些改进的措施,希望通过这些改进措施,能达到更好的教学效果。

氮掺杂碳化硅纳米管电子场发射的第一性原理研究

运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响.计算结果表明,在外加电场作用下,体系的态密度均向低能端移动,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小,且Mulliken电荷在帽端聚集程度增加.态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙及Mulliken电荷分析表明,氮掺杂改善了碳化硅纳米管的场发射性能,且N替代顶层五元环中Si原子体系场发射性能最优.

掺氮闭口碳化硅纳米管电子场发射的第一性原理研究

通过第一性原理的运用,对闭口碳化硅纳米管(SiCNT)顶层掺氮体系的电场发射性能进行研究,结果表明:掺氮的Si CNT的电子结构会发生非常明显的变化;通过外加电场,体系的态密度能够发生移动,移向低能端,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小。态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙一致表明:各种体系中eqSiCNT的场发射性能最优。

沉积时间对碳纳米管制备的影响

利用PECVD等离子体增强化学气相沉积系统,成功制备出多壁碳纳米管薄膜。并通过扫描电镜和拉曼光谱进行表征,深入地研究了沉积时间对碳管形貌的影响。结果表明:获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳沉积时间是20min。

催化剂刻蚀方式对碳纳米管形貌的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明,催化剂刻蚀方式对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最合适的刻蚀方式为热刻蚀.

氢气流量对碳纳米管生长的影响

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜。利用扫描电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明:氢气流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳氢气流量为30 sccm。

通过课堂演示实验化解教学难点

文章针对学生反映学习物理难的现状，提出了通过课堂演示实验来化解物理教学难点的方法，使得复杂问题简单化，取得良好的教学效果。

大学生思想教育工作必须做到与时俱进

文章针对目前大学生中存在的一些如责任心不强、社交能力差、协调能力差等思想问题 ,对思想教育工作者提出了四方面的要求 ,必须有与时俱进的精神状态 ,必须有扎实的理论基础 ,必须解放思想 。

催化剂膜厚对碳纳米管薄膜生长的影响

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以Ni为催化剂,在Si基底上沉积出定向性良好的碳纳米管。用扫描电镜表征了催化剂颗粒大小和相应的碳纳米管形貌。深入研究了催化剂膜厚对碳纳米管生长的影响。结果表明:不同厚度的催化剂薄膜经刻蚀形成的颗粒密度、尺寸、分布等对碳纳米管的合成质量起主要作用。催化剂厚度≤5 nm时,形成的颗粒密度较小而且分布不均,制备的碳纳米管产量低、定向性差。催化剂厚度≥15 nm时,形成的颗粒较大,粘连在一起,生长时大部分被非晶碳包覆,几乎没有碳纳米管的生长。催化剂厚度为10 nm时,形成的颗粒密度大、分布较均,制备的碳纳米管纯度高、定向性好。