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一种压敏超导-金属-高分子复合材料 被引量:2
1
作者 常方高 王少祥 +3 位作者 杨枫 张娜 马恒 宋桂林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1847-1849,共3页
将高温超导材料YBa2Cu3O7+δ与硅橡胶复合,制备了一种电阻对压力敏感的超导-高分子复合材料,并对不同温度下材料的物理性质进行了测量。结果表明这种材料的电阻率随压强的增加呈指数衰减,在10MPa压强作用下,材料的电阻率降低10个数量级... 将高温超导材料YBa2Cu3O7+δ与硅橡胶复合,制备了一种电阻对压力敏感的超导-高分子复合材料,并对不同温度下材料的物理性质进行了测量。结果表明这种材料的电阻率随压强的增加呈指数衰减,在10MPa压强作用下,材料的电阻率降低10个数量级,复合材料的电阻率及其对压强的敏感性随组分比例的不同而变化。研究发现这种超导-高分子复合材料的电阻率及其对压力的敏感性可以通过添加第3种金属组分来有效地调节;超导-金属-高分子复合材料的电阻率在150K以下有一个突然下降。 展开更多
关键词 超导 高分子 复合材料 压敏
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压敏超导体-金属-高分子复合材料研究
2
作者 常方高 王少祥 +3 位作者 杨枫 张娜 马恒 宋桂林 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期193-195,共3页
将高温超导材料YBa2Cu3O7+δ与硅橡胶复合,制备了一种电阻对压力敏感的超导体-高分子复合材料,并对不同温度下材料的物理性质进行了测量。结果表明这种材料的电阻率随压强的增加呈指数衰减,在10MPa压强作用下,材料的电阻率降低10个数量... 将高温超导材料YBa2Cu3O7+δ与硅橡胶复合,制备了一种电阻对压力敏感的超导体-高分子复合材料,并对不同温度下材料的物理性质进行了测量。结果表明这种材料的电阻率随压强的增加呈指数衰减,在10MPa压强作用下,材料的电阻率降低10个数量级,复合材料的电阻率及其对压强的敏感性随组分比例的不同而变化。研究发现这种超导-高分子复合材料的电阻率及其对压力的敏感性可以通过添加第3种金属组分来有效地调节;超导-金属-高分子复合材料的电阻率在150K以下有一个突然下降。 展开更多
关键词 超导 高分子 复合材料 压敏
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多铁材料Bi_(1-x)Ca_xFeO_3的介电、铁磁特性和高温磁相变 被引量:1
3
作者 宋桂林 苏健 +1 位作者 张娜 常方高 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期334-343,共10页
采用溶胶凝胶法制备Bi_(1-x)Ca_xFeO_3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷样品.X衍射图谱表明所有样品的主衍射峰均与纯相BiFeO_3相符合且具有良好的晶体结构.随着x的增大,Bi_(1-x)Ca_xFeO_3样品的主衍射峰由双峰(104)与(110)逐渐重叠为单峰(1... 采用溶胶凝胶法制备Bi_(1-x)Ca_xFeO_3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷样品.X衍射图谱表明所有样品的主衍射峰均与纯相BiFeO_3相符合且具有良好的晶体结构.随着x的增大,Bi_(1-x)Ca_xFeO_3样品的主衍射峰由双峰(104)与(110)逐渐重叠为单峰(110),当x 0.15时,样品呈现正方晶系结构;扫描电镜形貌分析可知,晶粒由原来的0.5μm逐渐增大到2μm.Bi_(1-x)Ca_xFeO_3样品介电常数和介电损耗随着x的增加先增大而后减小.当f=1 k Hz,Bi0.9Ca0.1Fe O3的介电常数达到最大值,是BiFeO_3的7.5倍,而Bi_(0.8)Ca_(0.2)FeO_3的介电常数达到最小值,仅仅是BiFeO_3的十分之一.Bi_(1-x)Ca_xFeO_3样品所呈现的介电特性是由偶极子取向极化和空间电荷限制电流两种极化机理共同作用的结果.随着Ca^(2+)的引入,BiFeO_3样品的铁磁性显著提高.X射线光电子能谱图表明Fe^(2+)和Fe^(3+)共存于Bi(1-x)Ca_xFeO_3样品中,Fe^(2+)/Fe3比例随着Ca^(2+)掺杂量的增加而增大,证明Ca^(2+)掺杂增加了Fe^(2+)的含量,增强BiFeO_3的铁磁特性.从M-T曲线观察到BiFeO_3样品在878 K附近发生铁磁相变,示差扫描量热法测试再次证明BiFeO_3在878 K发生相变.Ca^(2+)掺杂使BiFeO_3样品的TN略有变化而TM基本不变,其主要原因是Fe-O-Fe反铁磁超交换作用的强弱和磁结构相对稳定. 展开更多
关键词 铁磁电材料 介电特性 磁滞回线 磁相变温度
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烧结温度对Bi_(0.7)Ba_(0.3)FeO_3陶瓷介电、铁电特性影响 被引量:3
4
作者 常方高 于伏娟 +3 位作者 刘越奇 叶云哲 宋桂林 王昕 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期52-55,共4页
用固相反应法在不同烧结温度下制备了Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品,研究了烧结温度对Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷结构、介电和铁电特性的影响.运用XRD进行物相分析可知,Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品为正交结构,主衍射峰与纯相BiFeO3一致,烧结温度在870℃... 用固相反应法在不同烧结温度下制备了Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品,研究了烧结温度对Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷结构、介电和铁电特性的影响.运用XRD进行物相分析可知,Bi0.7Ba0.3FeO3陶瓷样品为正交结构,主衍射峰与纯相BiFeO3一致,烧结温度在870℃以上时样品有良好的结晶度,电阻率达到108Ω?数量级.在一定的温度区间内,介电常数随烧结温度的升高而增大.在低频区830℃烧结的样品的介电损耗比较大,而对应于870℃和900℃两个烧结温度的样品介电损耗有了明显的减小;在高频区介电损耗对烧结温度的依赖性不大.样品的交流电导率随烧结温度的升高而增大.在900℃烧结的Bi0.7Ba0.3FeO3样品的Pr值可达到113.11μc/cm2,远大于纯相BiFeO3.通过Ba2+的A位掺杂进一步提高了纯相BiFeO3的介电、铁电性能. 展开更多
关键词 烧结温度 Bi0.7Ba0.3FeO3介电性 铁电性
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B位Cr替代对BiFeO3介电特性的影响 被引量:1
5
作者 常方高 张娜 +1 位作者 杨枫 王绍祥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期456-458,共3页
采用传统的固相反应法制备了BiFe1-xCrO3(x=0,0.01,0.1,0.3,0.5)系列陶瓷样品,运用X射线衍射仪对样品进行结构分析发现,随着Cr含量的增加BiFeO3的微观结构发生了改变;利用HP3458A型万用表在室温下测量样品的电阻率随Cr含量... 采用传统的固相反应法制备了BiFe1-xCrO3(x=0,0.01,0.1,0.3,0.5)系列陶瓷样品,运用X射线衍射仪对样品进行结构分析发现,随着Cr含量的增加BiFeO3的微观结构发生了改变;利用HP3458A型万用表在室温下测量样品的电阻率随Cr含量的变化关系发现适当的Cr替代可以在一定程度上提高样品的电阻率;室温下利用HP4294A型阻抗分析仪在100Hz~100kHz的频率范围内测试样品的介电性能随频率的变化关系,结果表明介电常数岛随着Cr替代量的增加先增大然后又减小,而tanδ则随着Cr替代量的增加出现了较为复杂的变化. 展开更多
关键词 X射线衍射 电阻率 介电特性
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Gd和Sn掺杂BaTiO_3陶瓷的介电性能
6
作者 常方高 李涛 +2 位作者 葛永霞 袁延忠 荆西平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1389-1391,共3页
通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究。结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加。其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的... 通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究。结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加。其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092。 展开更多
关键词 掺杂 介电常数 介电损耗 居里点
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缺氧YBCO多晶陶瓷的磁电耦合与磁电阻效应
7
作者 常方高 刘越奇 +1 位作者 于伏娟 宋桂林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1615-1617,1622,共4页
将高温超导陶瓷YBa2Cu3O6+x经过真空热处理得到氧含量x=0.13的缺氧陶瓷样品,利用HP4294A精密阻抗分析仪测量了样品介电常数温谱图,在温度为410K附近发现了介电异常现象,认为是由反铁磁相变感应铁电相变引起的。铁电测量表明缺氧YBCO多... 将高温超导陶瓷YBa2Cu3O6+x经过真空热处理得到氧含量x=0.13的缺氧陶瓷样品,利用HP4294A精密阻抗分析仪测量了样品介电常数温谱图,在温度为410K附近发现了介电异常现象,认为是由反铁磁相变感应铁电相变引起的。铁电测量表明缺氧YBCO多晶陶瓷在室温下有一定的铁电性。在零磁场和外加磁场条件下,采用标准四引线法分别测量了样品电阻率随温度的变化关系,发现温度低于400K时样品的磁电阻MR约为60%且基本不随温度变化,在反铁磁相变温度410K附近出现异常,认为是由于样品大量本征载流子产生并且外加磁场对顺磁区域影响较小所致。缺氧YBCO(x=0.13)陶瓷样品的磁电耦合特性,显示出它可能成为一种新的室温多铁材料从而在传感、控制和信息储存等方面发挥重要作用。 展开更多
关键词 氧含量 介电异常 铁电 磁电耦合
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1987年9月23日日环食的地磁效应
8
作者 常方高 张金仓 郭陶三 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1989年第1期89-92,共4页
1 引言日全食的地磁效应,国内外学者已进行过长期的观测,但出于磁地的日食效应较小以及观测条件限制,结果不尽一致,争议颇大。而日环食对地磁场的影响,一直没有受到重视,迄今没有见到这方面的研究报道。我国学者在1980年云南日全食期间... 1 引言日全食的地磁效应,国内外学者已进行过长期的观测,但出于磁地的日食效应较小以及观测条件限制,结果不尽一致,争议颇大。而日环食对地磁场的影响,一直没有受到重视,迄今没有见到这方面的研究报道。我国学者在1980年云南日全食期间曾对地磁场进行了多方面的观测分析,积累了宝贵的资料,取得了一定成果。但由于日全食发生在磁暴期间,加上全食时太阳地平高度甚低,观测分析较为困难;结果也具有较大的不确定性。这次日环食主食带横贯我国中纬度地区,日食时太阳地平高度较大,而且没有出现磁暴,为我们分析研究日食的地磁效应提供了极为有利的条件。 展开更多
关键词 日环食 地磁效应 日食
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The effect of blending polypropylene on the electrical properties of polymeric insulation material Hifax
9
作者 常方高 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1015-1019,共5页
Extensive physical testing has suggested that polymeric material Hifax (Flexible Polypropylene)could be a promising candidate for the next generation of DC insulation. In the work presented in this paper,the DC conduc... Extensive physical testing has suggested that polymeric material Hifax (Flexible Polypropylene)could be a promising candidate for the next generation of DC insulation. In the work presented in this paper,the DC conductivity and AC breakdown of this polymeric insulation material have been measured as a function of temperature. The results show that Hifax cable insulation has a higher AC breakdown strength than EPR and XLPE (crosslinked polyethylene), and the DC resistivity of Hifax is larger than that of XLPE and oil-impregnated paper insulations. The electrical stress coefficient of resistivity of Hifax wire insulation increases with temperature, which needs to be taken into account in calculating the electrical field distribution across DC cable insulation. It has been observed that there is an anomalous change in resistivity at high electrical field, suggesting charge trapping and detrapping processes are present in Hifax cable insulation. It is concluded that blending Hifax with 62% polypropylene decreases the breakdown strength significantly. 展开更多
关键词 Hifax DC RESISTIVITY temperature and ELECTRICAL STRESS coefficient AC BREAKDOWN strength ELECTRICAL STRESS distribution
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WO_3薄膜的微观结构与电致变色机制研究 被引量:7
10
作者 杨海刚 王聪 +2 位作者 宋桂林 王天兴 常方高 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期181-184,共4页
采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征。通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO3薄膜电致变... 采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征。通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO3薄膜电致变色性能与其微结构、价态变化之间的关系。发现靶基距为7cm的情况下沉积得到的WO3薄膜呈非晶态,薄膜有更多的孔隙,有利于Li+的抽取,进而显示出较好的电致变色性能。反应溅射制备的WO3薄膜中W是W6+价态,颜色为透明状,当发生着色反应时,随着薄膜中Li+成分增加,薄膜颜色变为蓝色,薄膜中W原子为W6+和W5+的混合价态。认为其电致变色的行为是由于Li+和e-在薄膜中的注入和拉出引起的W6+和W5+发生转化所致。 展开更多
关键词 WO3薄膜 磁控溅射 靶基距 电致变色机制
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WO_3薄膜的电致变色与响应时间机理研究 被引量:8
11
作者 杨海刚 宋桂林 +2 位作者 张基东 王天兴 常方高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1316-1321,共6页
采用直流反应磁控溅射方法制备了纳米WO3薄膜,研究了溅射气压对WO3薄膜的表面形貌和微结构的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对WO3的微结构进行了表征。采用紫外-可见分光光度计和循环伏安测试系统对样品的电致变色及响应时间性... 采用直流反应磁控溅射方法制备了纳米WO3薄膜,研究了溅射气压对WO3薄膜的表面形貌和微结构的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对WO3的微结构进行了表征。采用紫外-可见分光光度计和循环伏安测试系统对样品的电致变色及响应时间性能进行了研究。结果表明,纳米WO3薄膜的微孔结构特征具有较大的比表面积,有利于改善其电致变色性能。当溅射气压为4 Pa时,WO3薄膜在可见光区的电致变色平均调色范围达到了71.6%,并且其着色响应时间为5 s,漂白响应时间为16 s。 展开更多
关键词 WO3薄膜 磁控溅射 电致变色 响应时间
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Cu_2ZnSnS_4/Cu_2ZnSnSe_4电子结构与光学特性的第一性原理计算 被引量:5
12
作者 李苗苗 王天兴 +2 位作者 夏存军 宋桂林 常方高 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1413-1420,共8页
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算Cu2ZnSnS4(CZTS)和Cu2ZnSnSe4(CZTSe)的电子结构和光学特性。计算并系统对比分析CZTS和CZTSe的态密度、吸收系数、复介电函数、复折射率、反射率、复电导率和能量损失函数随光子能量的变化关系。结果表明,锌黄锡矿型CZTS和CZTSe都是直接带隙半导体材料。CZTS和CZTSe的态密度和光学特性的曲线非常相似,但CZTS的禁带宽度比CZTSe的偏大,导致CZTS的各个光学特性曲线相对于CZTSe的略微向高能方向移动。 展开更多
关键词 CZTS CZTSe 第一性原理 能态密度 光学特性
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溅射功率及压强对磁控溅射Mo薄膜电学性能和表面形貌的影响 被引量:4
13
作者 王天兴 夏存军 +4 位作者 李超 李苗苗 杨海刚 宋桂林 常方高 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期36-39,共4页
采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时... 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃衬底上沉积Mo薄膜,研究了工作压强、溅射功率对Mo薄膜的电学性能、表面形貌的影响.实验表明,在我们所使用的压强范围内(0.2~2.0 Pa),溅射压强低时,沉积速率较快,制备出的薄膜导电性能亦较好;0.4 Pa时达到最佳值,电阻率为1.22×10-4Ω.cm,且扫描电镜(SEM)图显示薄膜具有致密、平整的表面形貌;在压强固定时(0.2 Pa),沉积速率随溅射功率(50~150 W)基本呈线性增加,且随溅射功率的增加,制备的Mo薄膜更加致密,显示出连续降低的电阻率;148 W时,电阻率为7.6×10-5Ω.cm. 展开更多
关键词 直流磁控溅射 溅射Ar气压强 溅射功率 表面形貌 导电性
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不同能量密度的飞秒激光辐照对单晶硅的影响研究 被引量:4
14
作者 马鹏飞 王克栋 +3 位作者 常方高 宋桂林 杨海刚 王天兴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期273-277,共5页
利用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描刻蚀,在硅表面形成一系列平行的刻蚀槽,刻蚀槽底部为密集排列的微纳米颗粒。这种微纳米结构使得硅表面在各角度都呈现黑色,同时这种微纳米结构降低了硅材料的反射率,提升了硅材料的光吸收能力。本... 利用飞秒激光在空气中对单晶硅进行扫描刻蚀,在硅表面形成一系列平行的刻蚀槽,刻蚀槽底部为密集排列的微纳米颗粒。这种微纳米结构使得硅表面在各角度都呈现黑色,同时这种微纳米结构降低了硅材料的反射率,提升了硅材料的光吸收能力。本文通过对单晶硅表面进行不同能量密度的飞秒激光辐照,发现这种降低硅表面反射率的微纳米结构的形成和其单位面积上受到辐照的激光能量密度有直接关系,过高和过低的激光通量都不利于微纳米结构的产生。 展开更多
关键词 飞秒激光 辐照 微纳米结构
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Sm、Co共掺杂对BiFeO_3陶瓷漏电流和铁磁特性的影响 被引量:4
15
作者 宋桂林 苏健 +3 位作者 周晓辉 杨海刚 王天兴 常方高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1229-1235,共7页
采用快速液相烧结法制备Bi0.95Sm0.05Fe1-xCoxO3(x=0、0.05、0.1)陶瓷样品,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)对其结构、形貌和磁性进行了测量与分析。结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且... 采用快速液相烧结法制备Bi0.95Sm0.05Fe1-xCoxO3(x=0、0.05、0.1)陶瓷样品,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)对其结构、形貌和磁性进行了测量与分析。结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构,样品晶粒的大小随着Sm3+、Co3+掺杂而变小,其晶粒尺寸在1~5μm;Sm3+、Co3+共掺杂有效地减小BiFeO3陶瓷的漏导电流,漏导电流密度下降1~2个数量级;所有样品在磁场为1000 Oe作用下具有完整的的磁滞回线,呈显出较弱的铁磁性。随着掺杂量x的增加,样品的铁磁性显著提高。当x为0.1时,样品具有较好的的铁磁特性。这可以理解为Sm3+、Co3+的掺杂,破坏BiFeO3样品中原有的反铁磁结构,形成一种新的亚铁磁结构,导致掺杂Co3+的样品磁性大幅度增强。 展开更多
关键词 多铁材料 磁滞回线 漏电流
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Al,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算 被引量:4
16
作者 王天兴 李苗苗 +1 位作者 宋桂林 常方高 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1130-1136,共7页
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO.掺杂后ZnO)的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO. 展开更多
关键词 ZnO N型掺杂 密度泛函 光学特性
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稀土Dy掺杂对BiFeO3陶瓷样品介电和铁电特性的影响 被引量:3
17
作者 宋桂林 刘中山 +3 位作者 付鹤鹏 夏存军 李超 常方高 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期61-64,共4页
采用传统固相烧结法制备Bi1-xDyxFeO3(x=0,0.05,0.1,0,0.15)陶瓷样品.分别对样品的介电性能、铁电性进行了测量与分析.结果表明:Bi1-xDyxFeO3样品主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;BiFeO3样品的介电常数、介电损耗均随D... 采用传统固相烧结法制备Bi1-xDyxFeO3(x=0,0.05,0.1,0,0.15)陶瓷样品.分别对样品的介电性能、铁电性进行了测量与分析.结果表明:Bi1-xDyxFeO3样品主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;BiFeO3样品的介电常数、介电损耗均随Dy3+掺杂量的增加而逐渐增大.在测试频率为103Hz条件下,Bi0.85Dy0.15FeO3(εr=3 305)的rε是BiFeO3(rε=54.2)的50倍;BiFeO3样品2Pr随x的增加而明显增大,当x=0.1,0.15时,样品2Pr分别是BiFeO3的30倍,矫顽电场分别是BiFeO3的3,4倍.其原因主要是Dy3+稳定性优于Bi3+,Dy3+A位替代减少Bi3+挥发而降低氧空位浓度,减小样品的电导和漏电流,进一步提高BiFeO3样品的铁电特性. 展开更多
关键词 介电常数 介电损耗 电滞回线
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Eu,Co共掺杂对BiFeO_3陶瓷的介电性能、磁性能及磁电耦合效性的影响 被引量:2
18
作者 宋桂林 马桂娟 +3 位作者 张卉 苏健 陈晨 常方高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2351-2358,共8页
采用快速液相烧结法制备Bi1-xEuxFe1-yCoO3(x=0、0.01、0.05、0.1;y=0、0.01、0.05、0.1)陶瓷样品,研究Eu、Co共掺杂对BiFeO3介电性能、铁磁性和磁电耦合效应的影响。利用x射线衍射仪对晶体结构进行表征,结果表明:所有样品... 采用快速液相烧结法制备Bi1-xEuxFe1-yCoO3(x=0、0.01、0.05、0.1;y=0、0.01、0.05、0.1)陶瓷样品,研究Eu、Co共掺杂对BiFeO3介电性能、铁磁性和磁电耦合效应的影响。利用x射线衍射仪对晶体结构进行表征,结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构。当co掺杂量大于0.05时,Bi1-xEuxFe1-yCoyO3发生结构相变。当f=1000Hz时,Bi0.99Eu0.01Fe0.99Co0.01O3样品的介电常数是BiFeO3的12倍,而介电损耗最小。磁测量表明:室温下,除了BiFeO3和Bi1-xEuxFe0.99Co0.01O3以外,所有样品具有较强的铁磁特性。在20kOe磁场作用下,Bi1-xEuxFe1-yCoyO3样品呈现饱和的磁滞回线,Bi0.9Eu0.1Fe0.99Co0.1O3样品的剩余磁化强度(Mx=0.984emu/g)是BiFeO3的328倍。在外加磁场(0—0.4kOe)作用下,样品的磁电耦合效应(ME)随着Eu3+和Co3+掺杂量的增加而增大,Bi0.95Eu0.05Fe0.95Co0.05O3呈现较强的磁电耦合效应,在4.5kOe磁场的作用下,其ME值已达到4.37%。样品磁性增强的主要是Eu3+的4f电子与Fe3+或Co3+的3d电子自旋相互作用及样品中存在局域的Fe-O—Co磁耦合两者共同作用的结果。 展开更多
关键词 BIFEO3 介电性能 磁滞回线 磁电耦合
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成份依赖的软磁材料CoFeB和CoFeSiB 被引量:1
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作者 王天兴 李超 +3 位作者 夏存军 杨海刚 宋桂林 常方高 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期64-67,共4页
采用磁控溅射技术制备了两种不同的富钴非晶磁性材料CoFeB和CoFeSiB.对它们的磁特性与成分的依赖关系以及作为磁性隧道结自由层的翻转特性进行了研究.在大块材料样品状态下(厚度约为1μm),CoFeB的矫顽力可达到2.51×10-2A/m,CoFeSi... 采用磁控溅射技术制备了两种不同的富钴非晶磁性材料CoFeB和CoFeSiB.对它们的磁特性与成分的依赖关系以及作为磁性隧道结自由层的翻转特性进行了研究.在大块材料样品状态下(厚度约为1μm),CoFeB的矫顽力可达到2.51×10-2A/m,CoFeSiB则显示出1.25×10-2A/m的矫顽力.而对于磁性隧道结的磁电阻测量表明:CoFeB薄膜的自旋极化对钴含量非常敏感,从而导致隧道结磁电阻值也发生明显的变化.相比较而言,CoFeSiB的翻转特性由于钴含量的变化而受到很大影响,而自旋极化对钴含量的依赖不甚明显,在很高的钴含量(80%)时达到饱和.结果表明,通过适当的调整非金属元素Si和B的含量,可以很好的调整CoFeSiB的软磁性能而有望满足下一代高密度自旋电子学器件对于材料的苛刻要求. 展开更多
关键词 非晶 自旋极化 COFEB CoFeSiB 矫顽力 翻转场
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碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响 被引量:1
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作者 蒋玉荣 秦瑞平 +5 位作者 边长贤 黄静 胡晓峰 杨海刚 马恒 常方高 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期996-1000,共5页
采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反... 采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低;光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象。最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制。 展开更多
关键词 碱液修饰 量子效率 光谱响应 表面复合 红移
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