抛光工艺参数对高纯氧化铝陶瓷基材抛光效果的影响

高纯氧化铝陶瓷基材广泛应用于精密电阻、微波集成电路等高端领域。为了获得具有超高平整度、纳米级表面质量的高纯氧化铝陶瓷基材,采用机械抛光(精研)与化学机械抛光(CMP)(精抛)相结合的工艺路线,系统研究了精研过程中的压力、转速、磨料的粒径、抛光液流速及CMP过程中的抛光压力、转速等工艺参数对抛光效果的影响。结果表明,精研压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为45和50 r/min,多晶金刚石研磨液的粒径为1μm,磨料添加速率为15 mL/min,精研时长达到25 h时,陶瓷基材即可达到抛光工序的表面质量要求。抛光压力为588 N,上、下研磨盘转速分别为20和25 r/min,硅溶胶抛光液粒径为80 nm,抛光2 h时,高纯氧化铝陶瓷基材的表面粗糙度可达到纳米级别。

陶瓷基板抛光技术研究现状

随着集成电路和半导体行业的快速发展,具有高表面精度和低粗糙度的陶瓷基板成为封装基板的最佳选择,而抛光工序作为陶瓷基板生产过程中最为关键的环节,决定了产品整体质量的好坏。围绕着陶瓷基板抛光,包括化学机械抛光、磨料流抛光、超声振动辅助磨料流抛光、电泳抛光、电解抛光以及磁流变抛光等常见抛光技术的基本原理和适用范围,总结了氧化铝、氮化硅、碳化硅、氧化铍、氮化铝等陶瓷基板常用的抛光技术及其研究现状,并展望了陶瓷基板抛光技术的发展趋势。