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高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性（英文） 被引量：1
1
作者 林宗澤 王科 +1 位作者 王利 平山秀樹 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期513-517,522,共6页
半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均... 半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2. 4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析. 展开更多
关键词 太赫兹 量子级联激光器 砷化镓
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