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氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究
1
作者
李国辉
庄尉华
+1 位作者
李成基
周德明
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1980年第1期47-56,共10页
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电...
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。
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关键词
发光效率
x)P_x
发光二极管
半导体器件
电致发光
化合物半导体
发光强度
发光材料
等电子陷阱
退火温度
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职称材料
题名
氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究
1
作者
李国辉
庄尉华
李成基
周德明
机构
北京师大低能所
中国科学院半导体所
北京市有色所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1980年第1期47-56,共10页
文摘
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。
关键词
发光效率
x)P_x
发光二极管
半导体器件
电致发光
化合物半导体
发光强度
发光材料
等电子陷阱
退火温度
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究
李国辉
庄尉华
李成基
周德明
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1980
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