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氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究
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作者 李国辉 庄尉华 +1 位作者 李成基 周德明 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1980年第1期47-56,共10页
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电... 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。 展开更多
关键词 发光效率 x)P_x 发光二极管 半导体器件 电致发光 化合物半导体 发光强度 发光材料 等电子陷阱 退火温度
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