InSb晶片湿法化学刻蚀研究

随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子。通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题。

低温光导型InSb红外探测器研究

文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上 ,对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行分析和估算。

HgCdTe分子束外延薄膜的研制

本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研制了直径为５０ｍｍ的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。为了评价材料的特性，用一块Ｘ＝０．２４３的外延膜经适当热处理后研制了光伏探测器试验阵列，其最好的一元探测率Ｄλ＊＝２．４４×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（λｃ＝７．９μｍ）。

光伏碲镉汞表面钝化技术研究——用阳极硫化/硫化锌复合钝化碲镉汞表面

本文描述了P型碲镉汞的阳极硫化过程。并对x～0.0212 Hg_(1-x)Cd_xTe进行了单层硫化锌和阳极硫化/硫化锌复合钝化。

B^+注入HgCdTe快速热退火的研究

借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅ有无ＺｎＳ膜包封在快速热退火条件下表层的Ｈｇ损失进行了深入的分析．快速热退火温度为３００，３５０和４００℃，退火时间为１０ｓ．ＺｎＳ膜厚度为１６０ｎｍ．结果表明，３００℃，１０ｓ快速热退火后，有ＺｎＳ膜包封的ＨｇＣｄＴｅ表层没有Ｈｇ损失．对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅＮ＋Ｐ结快速热退火工艺流程进行了优化．结果表明，快速热退火放在光刻金属电极之后进行，可以改善结的特性．