硅丙烯酸树脂/CeO_(2)涂层的一步电合成制备及其防护性能研究

为提高低碳钢的防护性能,采用一步电合成法在低碳钢上制备了硅丙烯酸树脂/CeO_(2)涂层。采用塔菲尔极化曲线、电化学阻抗谱、接触角测量仪、SEM及EDS研究了主要电合成工艺参数(沉积电压、沉积温度、沉积时间等)及不同硅单体(乙烯基三甲氧基硅烷(A171)和乙烯基二甲基乙氧基硅烷(C_(6)H_(14)OSi))对涂层组成、结构以及性能(疏水性、耐蚀性等)的影响。结果表明,涂层最佳制备电压为-20 V,温度为50℃,时间为3 h,该条件下制得的涂层表面均匀平整,含有少量凹陷,疏水性最强,接触角达到110.5°;与基体相比腐蚀电流密度降低两个数量级,达到2.052×10^(-7)A/cm^(2)。选用A171作为硅单体制备的涂层具有更优异的防污耐蚀性能,其接触角比使用C_(6)H_(14)OSi作为硅单体所制备的涂层大30.3°,腐蚀电流密度也降低了约两个数量级。