毫米波硅片集成MEMS滤波器

滤波器作为通信系统中必不可少的微波无源器件[1]。滤波器的性能指标和体积直接影响整个通信系统的性能和体积。研制小型化和高性能的滤波器已经成为主要趋势。本章主要介绍一个毫米波段MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)滤波器的设计和相关MEMS工艺的制作流程,谐振器采用单层硅基片集成(Substrate Integrated Waveguide,SIW)结构,该滤波器实现了小型化、集成化以及高Q值。输入输出采用共面波导-微带转换结构,易于探针测试台的快速测试滤波器并且方便与外部电路集成。滤波器设计采用双模提取法确定耦合结构尺寸。关键工艺为体硅加工的ICP(Inductively Coupled Plasma)深硅刻蚀。本文设计制作的滤波器指标为:中心频率为35 GHz,1d B带宽2G,驻波小于1.5。最终滤波器芯片尺寸为10.2 mm×4 mm×0.4 mm。

S波段20W脉冲耿氏振荡器

本文描述了脉冲耿氏二极管、微波电路、脉冲调制器的结构和设计原则;给出了脉冲耿氏振荡器研制结果:在3—4GHz范围内,最大脉冲功率为20W,最大效率为5%,工作比≤1%。

C波段20W脉冲耿振荡器

完整的脉冲耿振荡器包括脉冲耿二极管、微波电路及脉冲调制器。本文主要描述了该振荡器的结构和设计原理,并给出了C波段脉冲耿振荡器的研制结果:在4～6GHz,得到的最大脉冲功率为22W,最佳效率为5％,最大工作比为1％。