E 型扩散硅力敏器件的研制

本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。

第二届全国敏感元件与传感器学术会议(STC′91)介绍

本文介绍了第二届全国敏感元件与传感器学术会议的一般情况,我国敏感元件与传感器研究及开发取得的可喜成绩,同时还介绍了半导体传感器和微机械加工技术的发展状况。

SG-75扩散硅压力传感器

本文介绍了工业压力变送器用全固态结构的SG-75扩散硅压力传感器的研制。传感器压力范围0.16～50MPa,满量程输出120～230mV/0.78mA,精度0.2％F·S,工作温区-30～90℃。该传感器现已批量生产。

硅压阻式真空变送器

本文叙述了采用单晶硅压阻效应制作真空变送器的机理和关键工艺．给出了测量结 果和结论，讨论了该元件应用范围等问题。

全固态通用型压力传感器、变送器

全固态通用型压力传感器、变送器沈阳仪器仪表工艺研究所庞世信，刘沁，吕忠刚扩散硅压力传感器与应变式等其它类型压力传感器相比具有很多优点，多年来一直是人们关注的重点。国外目前已形成了系列化和通用化的产品，国内近些年来在扩散硅压力传感器开发和应用上也取得了...

耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电，在300℃下，满量程输出≥180mV，灵敏度为30-40mV/（mA.MPa），非线性≤1‰FS，重复性≤1‰FS。与常温测试结果相比，300℃高温下，敏感芯片的静态性能没有明显差异。

压力传感器计算机辅助设计软件的设计

基于ANSYS有限元软件和VB6.0开发了一套压力传感器计算机辅助设计软件。采用参数建模方法输入传感器的结构参数,自动完成建模、网格划分、加载以及求解,并保存节点坐标及相应的应力结果文件;输入敏感电阻的位置、阻值、条宽等参数,依据电阻变化与应力的关系,结合拉格朗日插值算法计算敏感电阻变化量;计算得到传感器的输出。同实测结果相比,满量程输出误差小于10%。

高精度硅电容压力传感器的研究

本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。

采用快速微分输出的氯气传感器

介绍了一种新型氯气传感器。通过对敏感材料的研究和采用混合集成电路工艺，使器件具有较高的可靠性和批量制造能力。通过对化学吸附平衡方式的敏感特性的研究，提出以微分输出信号作为检测信号的方式，从而实现了在３秒钟内响应输出的高敏感速度，并使器件实现频繁的重复测量而重复性误差很小。

扩散硅压力传感器的温度特性及其补偿

本文分析了扩散硅压力传感器灵敏度温漂的各种曲线,同时给出了一种简单的温度补偿方法.这种方法虽然不能得到准确解,但是它的补偿结果非常好.采用这种方法补偿对所用的外围器件要求不需要非常严格,而且适用于窄、宽温范围.本文给出了补偿前后的对照表.

绝对压力力敏器件的研究

本文介绍的扩散硅绝对压力力敏器件采用集成电路平面工艺、真空静电封接技术制造。器件灵敏度高、精度高、稳定性好。适合于测量粗真空度和制作绝对压力变送器。