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4 in InSb晶片加工技术研究 被引量:5
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作者 赵超 徐鹏艳 +3 位作者 孔忠弟 彭志强 王小龙 庞新义 《红外》 CAS 2019年第4期18-24,共7页
在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优... 在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,而该类探测器需要在更大尺寸、更高质量的晶片上制备。所以,对4 in InSb晶片加工技术进行了研究。通过优化研磨、抛光工艺参数,最终获得总厚度偏差小于等于10μm、翘曲度小于等于20μm、表面粗糙度小于1 nm、表面质量优的4 in InSb晶片,提高了加工效率,能够满足大规模高质量红外焦平面探测器的使用需求。 展开更多
关键词 INSB 4 in 总厚度偏差 翘曲度 表面粗糙度 表面宏观质量 研磨 抛光
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4英寸高质量InSb晶体生长研究 被引量:9
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作者 柏伟 庞新义 赵超 《红外》 CAS 2018年第9期8-13,共6页
InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in ... InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm^(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。 展开更多
关键词 锑化铟 晶体生长 直径 位错 电学参数
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调速型液力耦合器在高炉鼓风机上的应用
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作者 邓学英 庞新义 周志梅 《山东冶金》 CAS 1999年第1期28-29,共2页
安阳钢铁公司在高炉鼓风机上应用GWT58型液力耦合器,使风机机组的启动时间由20~40s缩短为9s,减小了大电流的时间和强度,吨铁节电7.5kW·h,改善了运行状况。
关键词 调速型 液力耦合器 鼓风机 高炉
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