硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响

针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下,观察到了薄膜的弱局域效应(weak localization, WL),且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应,得到相位相干长度的值,解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性,从而为红外探测器件的开发提供了有价值的参考。

装载自噬抑制剂的纳米银核介孔硅协同增强胶质瘤放疗

先前研究表明,银纳米颗粒可作为潜在的胶质瘤放疗的增敏剂,但这一作用受到自噬的限制.作为最有前途的药物递送载体之一,介孔二氧化硅纳米球由于其优异的药物负载性能、固有的生物相容性和可调节的孔径,对生物医学的发展做出了巨大贡献.在此,我们设计了一种负载自噬抑制剂3-甲基腺嘌呤的纳米银核介孔二氧化硅纳米球,其在体外和体内均表现出优异的协同抗癌作用.并且证实了抑制自噬可以进一步改善胶质瘤放疗的效果.此外,还从与氧化应激相关的核转录因子Nrf2的角度探讨了可能的机制,包括自噬抑制增强辐射诱导的氧化应激损伤以及Nrf2与自噬的相互作用.这项研究为将纳米银作为与自噬抑制剂结合用于胶质瘤放射增敏提供了一个愿景,并为其临床转化提供了一种可行的策略.