CO在NiCu复合体系上的化学吸附

本文用单电子化学吸附理论和复能积分方法,计算了CO在双金属Ni/Cu(Cu/Ni)体系和Ni_xCu_(1-x)二元合金表面上的化学吸附能。用紧束缚模型描述衬底。计算中用了格林函数方法和平均T-矩阵近似,结果表明:(I)在Cu衬底上淀积Ni薄层,化学吸附加强;反之,在Ni衬底上淀积Cu薄层,化学吸附减弱。(2)CO在Ni_xCu_(1-x)二元合金表面上的化学吸附随Ni浓度的增加而加强。Cu在Ni_xCu_(1-x)合金表面的偏析在一定程度上减弱了CO在Ni_xCu_(1-x)合金上的吸附。

H在ZnO/Ni复合体系上的化学吸附

半导体/金属复合体系在电子和化学工业中有广泛应用。一些氧化物半导体如ZnO,CuO等本身就是催化材料,它们又可以与过渡金属如Pt,Cu,Ni,Ru等结合成为“担载式”催化剂或气敏元件。人们对这种复合体系已经做了不少实验研究,但是把它作为量子力学体系的理论研究还很不够。最近,Davison等使用格林函数方法和Anderson-Newns理论计算了H在Ni/ZnO复合体系上的化学吸附能和电荷转移。

举导体器件在小型化电源中的应用

本文从电源的小型化出发,简要介绍几种半导体器件和电路的具体应用情况及其发展趋势,其中包括功率晶体管、低耐压MOSFET、CMOS开关稳压器及单芯片电源。

PWB的近期发展动向及其应用

本文叙述了表面组装技术(SMT)对PWB的要求,表面组装元器件(SMD)封装密度提高与引出端增多,使PWB导线宽度/间距/导通孔孔柱向微细化的积层多层(BUM)印制板发展。功率器件组装用的PWB,要求具有更高的热导率,直接键合铜箔(DBC)的陶瓷覆铜板与金属基覆铜板,将是高热导率PWB的主要基材。最后指出,生产无污染的"绿色型"PWB代替目前最常用的对环境有污染的阻燃型PWB,将是近期的发展方向。

武装直升机控制增稳系统的设计

本文是用现代控制理论的方法，对武装直升机进行控制增和急性

杂质对担载式催化剂化学吸附的影响

本文采用化学吸附的格林函数理论和复能量积分方法研究H在担载式催化剂ZnO/Ni上的化学吸附,使用由s轨道和p轨道交迭排列的有限原子链和由d轨道组成的半无限原子链,以描述半导体ZnO和金属Ni构成的复合衬底,用Koster-Slater模型来表示杂质原子,分别研究了化学吸附能随ZnO层厚度的变化和化学吸附能与掺杂的关系,结果表明:1)H的化学吸附能随ZnO层数的增加而单调地减小;2)在Ni中掺入杂质Cu和Pt会削弱H的化学吸附,而掺入Co和W将加强H的吸附;3)Ni中的杂质位于界面附近时对化学吸附能的影响最大。