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快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究
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作者 康玉琢 于建 +4 位作者 倪文俊 付伟佳 陈亚南 桑梅 李世忱 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期22-26,共5页
分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W。用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果。
关键词 高压脉冲放大器 周期极化 KTP晶体 快速响应
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标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)
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作者 康玉琢 毛陆虹 +1 位作者 张世林 谢生 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2013年第8期1-4,共4页
基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号。分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向... 基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号。分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz。 展开更多
关键词 定向耦合器 偏振分束器 锗光电探测器 全差分 光束传播法 Ge-on-SOI
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一种新型任意波形高压电源在PPKTP晶体研制中的应用研究 被引量:1
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作者 付伟佳 于建 +5 位作者 张瑞峰 倪文俊 康玉琢 陈亚南 桑梅 李世忱 《科学技术与工程》 2007年第4期437-440,共4页
对周期极化KTP(PPKTP)晶体的外加电场极化方法及实时监控方案进行了分析,根据实验要求设计了一种新型的任意波形高压电源,它具有波形任意设定、操作直观简捷等优点,为操作者提供了鼠标绘图界面,可以精确地输出高压方波、高压三角波等实... 对周期极化KTP(PPKTP)晶体的外加电场极化方法及实时监控方案进行了分析,根据实验要求设计了一种新型的任意波形高压电源,它具有波形任意设定、操作直观简捷等优点,为操作者提供了鼠标绘图界面,可以精确地输出高压方波、高压三角波等实验所需波形,在PPKTP制备过程,尤其是实时监控方案中取得了理想的实验结果。 展开更多
关键词 任意波形发生器 准相位匹配 PPKTP 周期极化反转
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用于KTP晶体极化反转的高压脉冲电源的研究 被引量:1
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作者 陈亚南 于建 +4 位作者 倪文俊 康玉琢 付伟佳 桑梅 李世忱 《科学技术与工程》 2007年第6期968-971,共4页
分析了KTP晶体的外电场周期极化反转的机理,设计并研制出一种采用高压开关管的高压脉冲电源,可以将任意信号发生器输出的2V方波脉冲波形放大,输出最高电压为5000V、上升沿小于50μs、最大输出电流超过30mA、脉宽为任意的方波脉冲。用此... 分析了KTP晶体的外电场周期极化反转的机理,设计并研制出一种采用高压开关管的高压脉冲电源,可以将任意信号发生器输出的2V方波脉冲波形放大,输出最高电压为5000V、上升沿小于50μs、最大输出电流超过30mA、脉宽为任意的方波脉冲。用此高压脉冲电源在KTP晶体上进行多次极化反转实验,得到良好的实验结果。 展开更多
关键词 高压电源 准相位匹配 周期极化KTP 极化反转
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基于BiCMOS工艺的光接收机前端电路 被引量:1
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作者 付友 谢生 +3 位作者 郭增笑 毛陆虹 康玉琢 张世林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期436-440,共5页
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer)。采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻... 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计,实现了光接收机模拟前端,电路整体结构包括差分共射跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)以及输出缓冲级(Buffer)。采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的差分共射跨阻放大器大大地减小了输入电阻,更好地展宽了频带。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时光接收机前端跨阻增益为74.59dB,带宽为2.4GHz,功耗为39.6mW。在误码率为10-9、输入电流为50μA的条件下,光接收机前端电路实现了3Gb/s的数据传输速率。实测结果表明,光接收机的-3dB带宽为1.9GHz。芯片面积为910μm×420μm。 展开更多
关键词 光接收机 跨阻放大器 差分共射结构 锗硅 双极互补金属氧化物半导体
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地球的中心是“空”的
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作者 康玉琢 《科技风》 2009年第20期256-,共1页
我们美丽的家园——地球,是一个体积一万多亿立方公里的大圆球体。地球的中心是"空"的。地球在膨胀。火山在喷发,岩浆在运动。地球中心的"空"洞越来越大。
关键词 地球 岩浆
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准相位匹配PPKTP晶体连续倍频13mW绿光输出 被引量:11
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作者 付伟佳 于建 +6 位作者 康玉琢 倪文俊 陈亚南 桑梅 李世忱 胡永岚 师瑞泽 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1063-1066,共4页
采用高压脉冲电场极化,通过电光效应实时监控、倍频通光二维监控等手段的应用,制备出周期为9μm、长为8 mm、宽为3 mm、厚为1 mm的周期极化KTiOPO4晶体(PPKTP);倍频通光实验中,当波长1064 nm的基频光功率为1 W时,得到了功率为13.5 mW的5... 采用高压脉冲电场极化,通过电光效应实时监控、倍频通光二维监控等手段的应用,制备出周期为9μm、长为8 mm、宽为3 mm、厚为1 mm的周期极化KTiOPO4晶体(PPKTP);倍频通光实验中,当波长1064 nm的基频光功率为1 W时,得到了功率为13.5 mW的532 nm连续倍频绿光输出,单通倍频转换效率为1.35%,归一化转换效率为1.69%/(W.cm),接近理论最大值。 展开更多
关键词 非线性光学 准相位匹配 周期极化 倍频 PPKTP晶体
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基于标准BiCMOS工艺的1.5 Gbit/s调节型共源共栅光接收机 被引量:4
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作者 郭增笑 谢生 +3 位作者 付友 毛陆虹 康玉琢 张世林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期26-30,共5页
基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为... 基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电路。接收机芯片包括调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和输出缓冲电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB,-3dB带宽为2.1GHz。测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1.8V电源电压下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800μm×370μm。 展开更多
关键词 光接收机 单片集成 调节型共源共栅(RGC) 跨阻放大器(TIA) BICMOS
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利用电光效应实现周期极化KTP晶体制作过程的实时监控 被引量:2
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作者 任铁雄 于建 +6 位作者 桑梅 付伟佳 倪文俊 康玉琢 李世忱 胡永岚 师瑞泽 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1554-1558,共5页
KTP晶体与其他非线性晶体相比具有明显的优势,但同时它具有相当高的电导率,因此极化过程中一直存在传导电流,使其不能利用传统的方法有效控制极化反转过程。为了解决这种困难,需要对KTP晶体的极化反转过程进行实时监控。采用了利用电光... KTP晶体与其他非线性晶体相比具有明显的优势,但同时它具有相当高的电导率,因此极化过程中一直存在传导电流,使其不能利用传统的方法有效控制极化反转过程。为了解决这种困难,需要对KTP晶体的极化反转过程进行实时监控。采用了利用电光效应的实时监控方案,并且进行了理论分析,用实验验证了实时监控方案的可行性。与采用该方法前相比,KTiOPO4(简称PPKTP)器件的倍频转换效率提高了数倍。实验表明利用实时监控可以提高周期极化KTP晶体的制备质量和重复性,也可以作为周期极化KTP晶体质量的检验手段。 展开更多
关键词 非线性光学 准相位匹配 周期极化KTP 电光效应 实时监控
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Design and simulation of a novel CMOS superimposed photodetector 被引量:5
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作者 康玉琢 毛陆虹 +2 位作者 肖新东 谢生 张世林 《Optoelectronics Letters》 EI 2012年第4期249-252,共4页
A novel superimposed photodetector (PD) is put forward. The photodetector can obtain a couple Of differential photocur- rent signals from one input optical signal. The light injection efficiency and the vertical wor... A novel superimposed photodetector (PD) is put forward. The photodetector can obtain a couple Of differential photocur- rent signals from one input optical signal. The light injection efficiency and the vertical work distance of this new.photode- tector are much higher than those of the others. The superimposed photodetctor is designed based on the standard 0.18 p.m CMOS process. The responsivity, bandwidth and transient response of the photodetector are simulated by a commercial simulation software of ATLAS. The responsivities of two obtained photocurrent signals are 0.035 A/W and 0.034 A/W, while the bandwidths are 3.8 GHz and 5.2 GHz, respectively. A full differential optical receiver which uses the superim- posed photodetector as input is simulated. The frequency response and 4 Gbit/s eye diagram of the optical receiver are also obtained. The results show that the two output signals can be used as the differential signal. 展开更多
关键词 BANDWIDTH CMOS integrated circuits Computer software Frequency response
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Novel pre-equalization transimpedance amplifier for 10 Gb/s optical interconnects 被引量:1
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作者 宋奇伟 毛陆虹 +1 位作者 谢生 康玉琢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第7期114-118,共5页
This paper presents a modified regulated cascode (RGC) transimpedance amplifier (TIA) with a novel pre-equalized technique. The pre-equalized circuit employed the broadband series inductive Jr-network and Gin- boo... This paper presents a modified regulated cascode (RGC) transimpedance amplifier (TIA) with a novel pre-equalized technique. The pre-equalized circuit employed the broadband series inductive Jr-network and Gin- boosting technique. The introduction of this technique compensates the transferred signal at the input port of the TIA without an increase in power dissipation. Furthermore, a novel miller capacitance degeneration method is designed in the gain stage for further bandwidth improvement. The TIA is realized in UMC 0.18 μm CMOS technology and tested with an on-chip 0.3 pF capacitor to emulate a photodetector (PD). The measured transimpedance gain amounts to 57 dBf2 with a -3 dB bandwidth of about 8.2 GHz and consumes only 22 mW power from a single 1.8 V supply. 展开更多
关键词 pre-equalized Gm-boosting series inductive re-network miller capacitance degeneration
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