提高集成电路中测效率的方法研究

从探针卡、测试设备、集成电路测试程序等几个不同的方面,在理论基础上结合实际工作中遇到的问题提出采取的有效解决方法,再针对不同的测试方法进行比较,从而达到提高集成电路中测效率的目的。

功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素

热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数,因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点,总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11,阐述功率MOSFET热阻测试原理,并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj以及测试夹具进行了具体分析,总结出减少热阻测试误差的方法,为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。

功率MOSFET非钳位感性开关测试方法的研究

本文通过讲述UIS的测试原理,得出雪崩计算公式,着重对目前两种不同模式的测试方法,从测试原理上进行比对,总结两种模式下的特点。

共阴极肖特基二极管热阻测试方法研究

以共阴极肖特基二极管为研究对象,开展单管芯热阻和双管芯热阻测试研究。通过对共阴极二极管的简单介绍,引入传统热阻测试、有限元仿真、热阻矩阵三种方式,进行相同测试条件下的稳态热阻测试,发现传统热阻忽略了热源之间的热耦合,因此传统热阻测试方法不适合于双管芯稳态热阻测试。采用ANSYS 17.0数值模拟方法,对单管芯和双管芯稳态热阻进行仿真,仿真结果验证了热阻矩阵测试双管芯热阻的准确性。从而得出采用热阻矩阵方法进行多热源器件稳态热阻测试是合适的。

数字电路测试程序设计

为了更好地满足生产质量要求,严格测试电路的全部功能及交直流参数是十分必要的。在多年测试实践基础上,文章提出了数字电路测试程序设计的概要。随着集成电路的集成度越来越高,功能更加强大,测试向量越来越大,测试时间也越来越长。为了降低测试成本,Teradyne J750测试系统以测试速度快的特点,顺应测试行业的发展,在行业中得到了广泛的应用。文中以74HC123芯片为例,对于一些数字电路关键测试技术在Teradyne J750测试机上的调试做出了较详细的阐述。

浅谈存储器测试

随着半导体存储器向多品种、高速和高集成化等方向发展,测试问题显得越来越突出和重要。下面主要介绍了存储器电路的分类,以及存储器电路的测试参数和测试向量。

功率MOSFET寿命预测技术研究

电子元器件是电子设备的基础,是不能再进行分割的基本单元,因此电子元器件的寿命在一定程度上决定了电子设备的使用寿命。功率MOSFET是所有元器件中使用最广泛的品种之一,数据统计表明,功率MOSFET是电子设备中失效率最高的元器件,整个寿命周期以性能退化失效为主。以MOSFET器件为例,模拟器件的使用环境、电压、电流,同时不断对试验过程中的器件进行测试,通过对测试数据进行分析,确定器件的敏感参数,建立以敏感参数为主的退化模型,从而估算元器件的寿命。

提高器件热阻仿真值与测试结果契合度的方法

随着集成电路小型化、集成化、大功率化的迅猛发展,电子封装的热阻参数越来越得到用户和封装、测试工程师的关注。特别是大功率MOS器件,热管理问题直接影响其可靠性。针对一款金属封装电路,采用ANSYS 17.0数值模拟的方法,对外壳热阻进行了仿真分析,得到RTH(J-C)和RTH(J-A)的理论值。通过对比热阻测试结果与仿真结果的差异,对仿真模型和仿真方法进行了修正,得到了提高仿真结果与测试结果契合度的方法。通过进一步研究,给出了芯片制造、封装工艺中的各个元素对热阻的影响。