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一种低高频串扰的微带结构设计与实验研究
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作者 廖传武 梁红伟 杜国同 《光通信研究》 北大核心 2019年第2期43-46,共4页
为了满足高频信号对400 Gbit/s光器件性能的要求,通过高频结构仿真软件HFSS建立、分析了三维电磁场模型,在分析电场分布的基础上,设计、研制了一种具有新的阻抗补偿结构的可降低高频串扰的微带线结构。实验测试和仿真结果均表明,使用这... 为了满足高频信号对400 Gbit/s光器件性能的要求,通过高频结构仿真软件HFSS建立、分析了三维电磁场模型,在分析电场分布的基础上,设计、研制了一种具有新的阻抗补偿结构的可降低高频串扰的微带线结构。实验测试和仿真结果均表明,使用这种微带线结构可以使串扰在0~60 GHz频率范围内小于-30 dB,能够满足高频信号对400 Gbit/s光器件性能的要求。 展开更多
关键词 高频电路 微带结构 HFSS 串扰
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第三代半导体辐射探测器研究进展 被引量:6
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作者 梁红伟 廖传武 +4 位作者 夏晓川 龙泽 耿昕蕾 牛梦臣 韩中元 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期69-82,共14页
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能,耐高温、耐辐照能力,在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测等领域具有重要的应用潜... 以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能,耐高温、耐辐照能力,在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测等领域具有重要的应用潜力。介绍了第三代半导体的相关性质、辐射探测器主要制备方法以及不同类型辐射探测器的研究进展,展望了第三代半导体在辐射探测方面的发展趋势。提出第三代半导体辐射探测器的出现必然会促进核科学、空间探测、粒子及高能物理等方面的研究,对于国家提升核心竞争力具有重要的推动作用。 展开更多
关键词 第三代半导体 辐射探测器 耐高温 耐辐照 宽禁带半导体
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