用于金刚石薄膜低压气相合成的ECR—PECVD装置

低压气相合成金刚石薄膜是目前的热门课题。本文介绍用于金刚石薄膜生长而开发的ECR—PECVD装置的工作原理、基本构成、结构特点及其主要技术指标。

液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。

烘干/烧结设备传动系统设计

传动系统是烘干/烧结设备中传输工件的关键机构,是维持设备连续正常运转、确保工艺效果的重要保障。根据项目的需要,借鉴了以往开发经验,设计开发出一种烘干/烧结炉的传动系统,各项指标均达到了技术及工艺要求,运行平稳。介绍了该系统的设计、结构组成及性能特点。

电子回旋共振微波等离子化学气相沉积金刚石薄膜

采用国内研制的电子回旋共振化学气相沉积设备(ECRCVD),在单晶硅片上沉积出了金刚石薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM),X 射线衍射仪(XRD),激光拉曼谱仪(RAM)的测试,证明所沉积的薄膜具有明确的金刚石特征。所采用的 ECRCVD 设备,具有可以低压沉积、大面积均匀生长以及低温生长的优点。这种方法在合成金刚石光学膜,半导体膜以及其它薄膜方面有重要的应用前景。

磁约束微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜

采用国内研制的电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备,在单晶硅衬底上沉积了金刚石薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和激光拉曼谱仪(RAM)的测试,证明所沉积的薄膜具有明确的金刚石特征。所采用的ECRCVD设备,具有低压沉积、大面积均匀和低温生长的优点。这种方法在合成金刚石光学膜、半导体膜以及其它薄膜方面,很有发展潜力。