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低压条形栅功率场效应晶体管的研制
被引量:
1
1
作者
王立新
廖太仪
陆江
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z1期205-207,共3页
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
关键词
条形栅
VDMOS
功率场效应晶体管
下载PDF
职称材料
VDMOS功率场效应器件的设计与研制
被引量:
1
2
作者
廖太仪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期29-35,共7页
VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的...
VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。
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关键词
VDMOS功率
场效应器件
研制
下载PDF
职称材料
题名
低压条形栅功率场效应晶体管的研制
被引量:
1
1
作者
王立新
廖太仪
陆江
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第z1期205-207,共3页
文摘
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
关键词
条形栅
VDMOS
功率场效应晶体管
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
VDMOS功率场效应器件的设计与研制
被引量:
1
2
作者
廖太仪
机构
中国科学院微电子中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期29-35,共7页
文摘
VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。
关键词
VDMOS功率
场效应器件
研制
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
低压条形栅功率场效应晶体管的研制
王立新
廖太仪
陆江
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
2
VDMOS功率场效应器件的设计与研制
廖太仪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
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职称材料
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