GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.

Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究

本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．

GaAs／AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

本文采用三角阱近似，计算了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、２ＤＥＧ浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系．理论计算结果与实验符合很好．就作者所知考虑上述七种散射机制计算２ＤＥＧ电子迁移率的工作，以前未见报道．

GaAs VCSEL/MISS混合集成光子开关

报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从而解决了该半绝缘层厚度的精密控制以及与VCSEL工艺相容的问题。该集成器件除光子开关功能外，还能实现光放大功能，并可用于自由空间光互连。

高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．