L波段超外差接收机的设计与实现

介绍了一种L波段超外差接收机的设计与实现方法。该超外差接收机有四个通道,每个通道将天线接收到的微弱射频信号进行下变频,得到中频信号。通过增加Pi型衰减网络和相移网络使各个通道的幅度和相位一致。经过测量所做实物表明:有很好的幅相一致性;能够在-64dBm的干扰下接收-120dBm信号;能够接收两种卫星系统的信号。

基于锁相环的L波段频率源设计与实现

介绍了一种L波段的频率合成源的设计与实现方法,采用电荷泵锁相环来实现。该法设计的频率源具有低相位噪声、低杂散和高频率稳定度等特点。经过测量所做实物表明:相位噪声为-80.4dBc/Hz@1kHz;杂散抑制优于-55dBc;输出功率大于6dBm。满足项目的指标要求。并且,电路结构简单,体积小巧,性能优良,能够用于实际电路中为某接收机提供本振,证明该方案可行。

一种超宽带正交调制器片上巴伦的设计

采用0.18μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦。创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差。仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5dB,幅度不平衡度为0.13dB,相位不平衡度为0.38°;在4GHz频率处,插入损耗为1.8dB,幅度不平衡度为1.62dB,相位不平衡度为2.85°。对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合。该巴伦可应用于500 MHz^4GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景。

低杂散、低相噪的电荷泵锁相环设计

基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款低杂散、低相噪的电荷泵锁相环频率合成器芯片,其最高工作频率为400 MHz,射频输入频率范围为5~400 MHz,输入参考信号频率范围为20~300 MHz。本设计通过外接低通滤波器、压控振荡器,可实现完整的锁相环,如果把R/N分频都设置为"1",芯片也可以单独当作电荷泵和鉴频鉴相器。芯片测试结果为:归一化相位噪声基底(噪声优值)为-228 dBc/Hz,电流源与电流沉失配小于2%,参考杂散为-107.6 dBc,带内噪声为-115 dBc/Hz@10 kHz。