超宽带低功耗低噪声放大器芯片

介绍了一款基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的2~18GHz超宽带低功耗低噪声放大器芯片的设计,给出了在片测试结果。该芯片采用结合有源偏置和并联负反馈技术的改进型共源共栅放大结构,该结构可以使放大器在超宽带的工作频带范围内实现低噪声、低功耗和较高增益,同时减小放大器性能对工艺波动的敏感程度。在2~18GHz的超宽带频率范围内,该芯片实测噪声系数≤1.4 dB,增益≥14 dB,且具有3 dB的正斜率,输出P-1功率≥12 dBm,输入输出驻波≤1.6,整个芯片功耗仅为0.15 W,芯片尺寸仅为:1.4 mm×1.1 mm×0.1 mm。

0.8~18 GHz放大衰减多功能芯片

文章介绍了基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的0.8~18GHz放大衰减多功能芯片的设计,给出了在片测试结果。该芯片集成了共源共栅行波放大单元、三位数控衰减单元和三位并行驱动单元,在0.8~18GHz的超宽带频率范围内,噪声系数典型值≤4.5 dB,增益≥11 dB,且具有3 dB的正斜率,P-1大于13 dBm,输入输出驻波≤1.8,3 bit数控衰减单元2/4/8 dB,衰减精度≤0.5 dB。其中放大器采用单电源+3.3 V供电,工作电流小于60 mA,TTL驱动电路采用-5 V供电,工作电流小于3 mA。芯片尺寸为:2.6 mm×2.8 mm×0.1 mm。

基于GaAs工艺的6～18GHz高效率功放单片设计

本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6~18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增益24dB,功率增益21dB,输出功率大于31dBm,功率附加效率30%~45%。芯片尺寸为:2.9mm×2.4mm×0.1mm。引言:功率放大器在移动通信、军用雷达和电子战系统中大量使用。功放的输出功率、效率、带宽和尺寸是关键技术参数,在过去几十年得到了长足发展,一直是微波射频领域的一个研究热点。近年微系统概念的兴起,小型化、集成化的功率放大器已经成为大势所趋。砷化镓微波单片集成电路(MMIC)具有集成度高、体积小、重量轻、可靠性高、一致性好等优点,并且可以工作在较高的频率。随着MMIC功放向高功率、高效率的方向发展,它将逐渐取代传统分立元件微波电路。

0.35-2GHz GaN HEMT超宽带高效率功率放大器设计

设计并制作了一款GaN基内匹配功率放大器。管芯选用0.25um大栅宽GaN HEMT,放大器用氧化铝陶瓷材料制作匹配电路,实现小型化。匹配网络中,电容器采用MIM陶瓷电容实现,电感采用高阻线实现,匹配电路和管芯之间使用金丝键合,功放封装在24mm×17.4mm金属管壳。测试结果显示,该功率放大器在0.35-2GHz超宽频带内可实现:功率增益26dB,输出功率大于40dBm,功率附加效率40%~50%。

基于GaAs工艺的2~6GHz高效率收发多功能芯片设计

阐述一款基于GaAsp HEMT的2~6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点。测试结果显示,在2~6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于2.5dB,输出P1dB功率13.5dBm,电流小于50mA;发射通道增益大于28dB,饱和输出功率大于23.5dBm,功率附加效率24%~38%,电流小于230mA。芯片尺寸为:3.0mm×2.2mm。

基于0．15μmGaAs工艺6-18GHz宽带低功耗低噪声放大器

本文介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的6–18GHz宽带低噪声单片放大器(LNA)。该双级放大器由两个共源晶体管级联构成,前级放大器主要实现最小噪声匹配,后级放大器主要实现功率增益匹配。基于自偏置技术和电流复用方法,该放大器在提高增益的同时大大降低了功耗。实测结果显示,在6-18GHz宽频带范围内,该放大器的增益优于21dB,输入输出驻波均小于2,带内的典型噪声系数为2dB,输出功率1dB压缩点大于13dBm,且直流功耗仅为215mW。芯片尺寸为1.97×1.35mm^2。因此,该芯片在兼顾低功耗的同时具有极佳的宽带低噪声性能和高线性度特性,具有广泛的市场应用前景。

2~6 GHz 1W宽带高效率功率放大器芯片设计

阐述一款基于0.15μm GaAs pHEMT工艺2~6GHz 1W宽带高效率功率放大器芯片的设计,给出夹具测试结果。该放大器芯片采用两级级联放大结构,以确保较高的功率增益,同时匹配采用多级LC结构,可以拓宽放大器的工作频段,同时较低的插损可以使放大器保持较高的效率和功率。

K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计

阐述一款K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计。芯片采用无源双平衡混频器结构,本振和射频的巴伦为螺旋Marchand巴伦。关键技术指标表现出色,芯片尺寸仅为1.15mm×0.8mm×0.1mm,实现了小型化。通过精心设计与优化,该混频器芯片在宽频段内展现出低损耗、高隔离度和高线性度等优良性能,能有效满足现代通信和雷达系统对高性能射频器件的需求。

X波段超低功耗限幅低噪声放大器芯片的设计

阐述基于GaAs工艺开发一款9~10.2GHz限幅低噪声放大器单片微波集成芯片(MMIC)。该芯片限幅器基于I-Layer 1μm厚度的PIN二极管工艺,低噪声放大器基于增强型E-pHMET工艺,并将先限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,实现一片式开发。该MMIC中限幅器采用两级反向并联二极管结构,优化插损和功率特性。低噪声放大器采用三级电流复用结构和负反馈匹配,在较宽的频段内获取高增益、低噪声和超低功耗等指标。

GaAs低压高线性度驱动放大器芯片的设计

阐述一款基于GaAs HBT工艺的0.4~1.1GHz宽带低压高线性度放大器芯片的设计,并给出在片测试结果。该芯片采用结合线性电容的有源偏置和并联负反馈技术,同时发射极增加镇流电阻,使放大器在工作频带范围内实现高线性度、低工作电压和较好的增益平坦度,同时减小工艺波动对放大器性能的影响。