脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO_3薄膜

采用LiNbO3单晶靶材，以激光脉冲沉积方法在六方GaN（0001）基片上沉积制备c轴取向的LiNb03薄膜。利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（ARM）研究了沉积温度和氧气压强对生长的薄膜的相组成、外延关系、表面形貌、晶粒大小的影响。结果显示，沉积温度500℃、氧分压20～30Pa是在GaN基片上生长C轴取向LiNbO3薄膜的最优生长条件。XRD分析表明，生长的LiNbO3薄膜具有两种晶畴结构，其外延关系分别为[1-100]（0001）LiNbO3/／[11-20]（0001）GaIN和[10-10]（0001）LiNbO3／／[-12—10]（0001）GaN。SEM和AFM对薄膜的表面形貌表征表明，在最优生长条件下沉积的薄膜表面平整，致密度好。

GaN基半导体上BiFeO_3薄膜的生长与性能研究

采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜。首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及电学性能等性质。然后,在AlGaN/GaN调制掺杂结构上采用TiO2缓冲层生长了BFO薄膜,并采用光刻工艺分别在AlGaN表面制备Ti/Al/Ti/Au欧姆电极和BFO表面制备Ni/Au肖特基电极以形成二极管结构。C-V测试表明,由于BFO铁电薄膜极化的作用,BFO/TiO2/AlGaN/GaN结构具有1 V左右的逆时针窗口。