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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
1
作者
何苗
周易
+7 位作者
应翔霄
梁钊铭
黄敏
王志芳
朱艺红
廖科才
王楠
陈建新
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种...
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。
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关键词
InAs/GaSbⅡ类超晶格
离子注入
平面结
退火
HRXRD
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职称材料
题名
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
1
作者
何苗
周易
应翔霄
梁钊铭
黄敏
王志芳
朱艺红
廖科才
王楠
陈建新
机构
上海理工大学
中国科学院上海技术物理研究所
国科大杭州高等研究院物理与光电工程学院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第1期15-22,共8页
基金
国家自然科学基金(61904183,61974152,62004205,62104236,62104237,62222412)
国家重点研发计划(2022YFB3606800)
+1 种基金
上海市启明星培育项目扬帆专项(21YF1455000、22YF1455800)
中国科学院上海技术物理研究所创新专项基金(CX-399、CX-455)。
文摘
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。
关键词
InAs/GaSbⅡ类超晶格
离子注入
平面结
退火
HRXRD
Keywords
InAs/GaSb TypeⅡsuperlattice
ion implantation
planar junction
annealing
HRXRD
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
O474 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
何苗
周易
应翔霄
梁钊铭
黄敏
王志芳
朱艺红
廖科才
王楠
陈建新
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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