交流型量子点发光器件:现状、挑战与展望

量子点作为高性能发光材料一直是新型显示技术的研究热点。尽管传统的电致发光型量子点器件一般工作于直流驱动模式,交流驱动的电致发光型量子点器件逐渐受到广泛关注。这是因为交流型器件相比于直流型器件具有独特的优势:可以避免由单向电流注入形成的电荷积聚对发光材料造成的破坏,可有效提高器件的寿命和发光效率;驱动系统中不需要转换器和整流器,可以显著降低功率损耗和产品成本,具有较高的商用价值。基于这些优点,国内外研究人员对交流型量子点发光器件开展了大量研究工作。本综述按照外部载流子注入量子点发光器件的类型,将器件分为双端载流子注入型发光器件,单端载流子注入型发光器件和无载流子注入型发光器件三大类,并对三类器件的器件结构、工作原理、研究进展进行综述。最后分析了交流型量子点发光器件的相关技术挑战,并展望其发展前景。

基于电化学金属化机制的电子突触电导可控性研究进展

随着数据信息的爆炸性增长和微电子加工工艺逼近物理极限,互补金属氧化物半导体(CMOS)器件难以应用于大规模神经形态器件的构建。采用非CMOS器件实现突触可塑性模拟被认为是后摩尔时代构造人工神经网络的关键。在众多的非CMOS器件中,忆阻器具有电导可调、结构简单等优点,被认为是再现神经突触功能、实现计算存储一体化的基础元件。在众多类型的忆阻器中,基于电化学金属化机制(ECM)的忆阻器具有机理明确、可超高密度集成、对材料属性不敏感等优点,特别适合应用于电子突触的构建。但ECM电子突触存在着电导可控性不足的问题,制约着高性能神经形态器件的实现。国内外研究人员针对ECM电子突触的电导可控性展开了大量研究。本综述从器件结构和材料角度梳理了ECM电子突触电导可控性的优化方法。