IGBT和VDMOS解析模型和模拟

采用解析分析的方法．开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件．它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模拟结果和实验结果。

MOS 功率器件的新成员——MBSIT

介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外加一个正向栅压时，器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻、高速和大的导通电流密度，是一种很有发展前途的大电流、高速度、高效率开关器件。

一种新型 MOS 控制功率器件

介绍了一种被称为ＭＢＭＴ的ＭＯＳ控制功率器件，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。该器件具有导通电阻低、开关速度快、导通电流密度大的优点，是一种发展前途较大的大电流、高效率开关器件。

MOS型新型功率器件终端场分析与实验

采用二维有限元数值分析的方法，开发了用于反向偏置ｐ－ｎ结分析的模拟软件，可以模拟与ＭＯＳ型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。为高压器件的终端研究、设计和优化提供了精确而有效的ＣＡＤ工具。此文介绍模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例、结论及实验结果。

浅结高压器件终端场分析与实验

采用二维有限元数值分析法，开发出用于反向偏置ｐｎ结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例。

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．

低温漂CMOS基准电压源的设计与试制

本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温度稳定的基准电压。

电子辐照对 IGBT 关断和通态特性的影响

分析了ＩＧＢＴ关断电流波形。指出ＩＧＢＴ的电流下降波形由迅速消失的ＭＯＳＦＥＴ电流和基区载流子复合引起的指数衰减电流两部分组成。给出了电流下降波形与基区电子辐照剂量的关系及关断时间与通态压降的折衷关系。

高压IGBT的研制

介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。