极紫外探测器的研究进展

极紫外探测器在电子工业、空间探索、基础科学等领域有着无法替代的作用。本文综述了不同类型极紫外探测器的优势及研究进展,包括气体探测器、闪烁体、微通道板以及半导体极紫外探测器,重点介绍了具有优异抗辐照能力的宽禁带半导体极紫外探测器及其潜在的应用优势。最后,本文展望了极紫外探测器在耐辐照功率监测、高分辨极紫外成像和高抑制比极紫外微光探测等方面的应用前景,并指出了其面临的主要挑战。

《浮力》探究教学的思考及创新

关于《浮力》教学，根据课程标准的要求，探究实验应贯穿教学全过程。在实际探究教学过程中，浮力产生原因的实验；测量浮力大小方法的命名问题；浮力方向的实验；学生典型错误前概念及其转变；探究影响浮力大小的因素等几个问题均有不同的实验设计方法。通过对不同的实验设计的深入分析、比较和讨论后，提出了操作性强且具有创新性的《浮力》教学设计方案。

掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展

近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点。由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8~4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm^3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外(DUV)光电探测器的半导体材料。本文综述介绍了β-Ga2O3晶体的结构、光电性质和单晶生长方法,总结了不同掺质β-Ga2O3晶体的光学性质和电学性质。人们可以通过不同掺质对晶体的光电性质进行调控,以满足不同的应用目的。最后总结了β-Ga2O3晶体在功率器件、LED衬底和日盲探测器方面的应用。