正方形膜片微压传感器设计分析及各向异性腐蚀技术

本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微压传感器的灵敏度作了分析,与同尺寸的圆形膜片比较其灵敏度提高了20%。最后较详细的讨论了微压传感器研制中关键问题——各向异性腐蚀技术。

硅微压传感元件的设计分析及关键技术

本文介绍了圆形膜片E型杯硅微压传感元件的设计原理。并针对硅微压传感元件研制中存在的问题,提出采用化学腐蚀技术,选择性腐蚀工艺控制膜厚。用E型杯代替C型杯的设计,改善非线性误差获得成功。研制出量程≤10kPa,精度优于0.5％的微压元件。

一种新的超突变结电容电压方程

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

微压传感器制造中的硅杯腐蚀

<正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1)

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。

硅杯腐蚀技术的研究

本文在大量实验的基础上,对微压传感器中硅杯形成的各向异性腐蚀技术的机理进行了详细分析,提出了几种切实可行的膜厚控制方法与正面图形的保护方法.对实验结果进行了分析与讨论,提出有价值的结论.

超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究

根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．