二氧化硅碳还原法制取Si_3N_4粉的研究

报导了用二氧化硅碳还原氮化法制取高性能Ｓｉ３Ｎ４粉的研究结果。研究了氮化温度、氮化时间、氮气流量等工艺因素对氮化产物的颜色、颗粒形状、粒度和粒度分布以及相结构的影响；分析了非晶态、ＳｉＯ２、ＳｉＣ产物的形成条件。结果表明：氮化工艺因素对氨化产物的性能有明显的影响，采用１４５０℃氮化温度，氮化时间２ｈ，Ｎ２流量２．５Ｌ／ｍｉｎ的工艺条件，能制得高α相比例，颗粒微细和粒度分布均匀的优质Ｓｉ３Ｎ４粉。

还原氮化法制取Si_3N_4粉末相的研究

本文介绍了用碳还原二氧化硅氮化法制取高质量Si_3N_4粉末的工艺过程,讨论了加热温度、反应时间、氮气流速和反应物浓度及添加剂对所获得的Si_3N_4粉末相的影响。结果表明,过量的碳能有效地控制SiO的挥发,提高氮化速度和氮化率。添加剂可以有效地限制β-Si_3N_4相的生成。一定的温度是反应进行的保证,足够的时间是充分反应的条件,氮气流速是氮化的前提。如果严格控制这些工艺条件和影响因素,就可以获得高α相含量的Si_3N_4粉末。