Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。

Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运

使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．

应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究

用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。

调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。

InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用

概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。

MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料

人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm^2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。

δ掺杂样品中空穴态的新行为

用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。

InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果

众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n^+-AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT(PM-HEMT)结构比较有下述几个特点:①由于不含Al组分,就不存在所谓DX中心深能级的问题;②提供载流子的n-GaAs层的掺杂浓度比n^+-AlGaAs层的低,故器件的击穿电压高,这很适合制作功率器件;③器件工艺与通常的GaAs MESFET相同,器件的可靠性问题容易解决。

我国脱硫技术发展的回顾及展望

回顾了我国 30年来脱硫技术的发展情况 ,指出湿法脱硫、干法脱硫在不同阶段所取得的成就和具有的特色 ,对目前存在的一些技术问题和解决途径也做了阐述 ,并预测了今后的发展趋势。

TGH-3Q型羰基硫常低温水解催化剂及应用

研究了太原理工大学开发的TGH－3Q型COS水解催化剂上的动力学行为。实验表明，这种改进型催化剂在温度40～180℃范围显示很高的催化活性和抗氧中毒能力。该催化剂已成功用于氨厂和甲醇厂的气体净化，使用寿命超过三年。根据用无梯度微型反应器和色谱仪获得的结果，其水解反应的本征速率可表达为：对于大颗粒催化剂，宏观速率可表示为该催化剂的耐毒害能力与其上沉积的硫／硫酸盐沉积学密切相关。在所提出的机理的基础上给出了催化剂因氧毒害而失活的动力学模型。

含复杂可编程逻辑器件电路板的自动测试技术研究

复杂可编程逻辑器件作为电路的核心器件,其故障往往会导致整个电路功能失效。论文详述了国内外含复杂可编程逻辑器件的研究现状,并在分析现有主要采用的测试方法优缺点的基础上,对发展方向和思路进行了分析探索。

数字电路板自动测试技术浅析

本文在介绍简单数字电路板主要测试方法的基础上,详细描述了用LASAR仿真软件进行含复杂可编程逻辑器件数字电路板的自动测试程序开发方法。实验证明该技术能够开发大部分数字电路板的测试程序,并产生较高的故障覆盖率、隔离率。对电路板维修来讲,具有重要的意义。

IETM创作浅析

交互式电子技术手册(IETM)作为为信息化装备维修保障的综合支持技术,为舰船级维修提供巨大支持。本文介绍了某型自动雷达标绘仪的IETM创建,以Nudt IETM2.0平台为工具。

高家堡煤矿煤层顶板注浆加固堵水技术探讨

煤层顶板水害是煤矿安全生产隐患之一,对矿井安全生产危害极大。以陕西彬长矿区高家堡煤矿顶板注浆堵水为例,分析了顶板水导水通道,顶板水富集特征,进行了大量注浆试验,最后提出了顶板水治理方案。研究结果表明,采用水平钻孔、水平注浆方法探查的顶板裂隙发育高度已超过210 m,裂隙发育角度达到80°以上;采用充填注浆、间歇式注浆及快速封堵注浆相结合的方式进行封堵,注浆效果较好。研究成果对类似矿区顶板注浆加固技术推广有借鉴价值。

广电接入网双向化改造策略研究

本文对广电接入网双向化改造三种主流技术方案进行比较研究,分析双向改造过程中遇到的难点,提出广播电视网络提升至电信级网络,面向三网融合及建设下一代网络的建设策略。

分子束外延δ掺杂研究

用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。

煤矿地质防治水工作面临的问题

为了提高煤矿地质防治水工作的水平,促进企业的长久发展,文章在分析煤矿井口和工业场地地表水处理难点的同时,对制定煤矿地质防治水工作措施进行了深入的研究。实践可知,在煤矿地质防治水工作中,必须要重视煤矿地质防治水措施的应用,从而保证工作的有效开展。