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制作低温度系数的Cr-SiO薄膜电阻的工艺探讨 被引量：1
1
作者 张允济 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第3期44-46,共3页
本文提出要制得最低温度系数(TCR)的Cr-SiO薄膜电阻,粉料组份或退火温度必须取在工艺决定的TCR 曲线与横坐标轴交点上.以此作为制作低TCR 的Cr-SiO 薄膜电阻的工艺原则.
关键词 Cr-SiO 薄膜电阻 低温度系统
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制作高薄层电阻值Cr/SiO薄膜电阻的探讨
2
作者 张允济 张桂云 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第3期42-43,共2页
本文简要报道了用最佳退火温度制得10kΩ/口的薄膜电阻.其|TCR|(?)40ppm/℃.工艺重复性较好.
关键词 Cr/SiO 薄膜电阻 退火 集成电路
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