1
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不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应 |
张兴尧
郭旗
李豫东
文林
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《太赫兹科学与电子信息学报》
北大核心
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2018 |
1
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2
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不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应 |
张兴尧
李豫东
文林
于新
郭旗
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《现代应用物理》
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2017 |
0 |
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3
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基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 |
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
文林
何承发
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
9
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4
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CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 |
汪波
李豫东
郭旗
文林
孙静
王帆
张兴尧
玛丽娅
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
4
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5
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温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 |
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
3
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6
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半导体材料电子非电离能损的分析法计算 |
于新
何承发
郭旗
张兴尧
吴雪
张乐情
卢建
胥佳灵
胡天乐
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《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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7
|
0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究 |
吴雪
陆妩
王信
郭旗
张兴尧
于新
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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8
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CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究 |
李豫东
文林
郭旗
何承发
周东
冯婕
张兴尧
于新
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《现代应用物理》
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2017 |
2
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9
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基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法 |
文林
李豫东
冯婕
郭旗
何承发
周东
张兴尧
于新
玛丽娅·黑尼
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《现代应用物理》
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2017 |
2
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10
|
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 |
李豫东
文林
郭旗
何承发
周东
冯婕
张兴尧
于新
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《现代应用物理》
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2018 |
1
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11
|
3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究 |
于新
郭旗
李豫东
何承发
文林
张兴尧
周东
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《现代应用物理》
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2017 |
1
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12
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CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 |
于新
荀明珠
郭旗
何承发
李豫东
文林
张兴尧
周东
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《现代应用物理》
|
2019 |
1
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13
|
应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计 |
张乐情
郭旗
李豫东
卢健
张兴尧
胥佳灵
于新
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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14
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基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 |
荀明珠
李豫东
郭旗
何承发
于新
于钢
文林
张兴尧
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
1
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15
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炼厂热水余热回收 |
姚静
解鑫
张兴尧
刘丛茹
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《河北化工》
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2013 |
1
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16
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一种高并发环境下交易日志连续输出的机制 |
王建东
张兴尧
佟志臣
夏智
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《电子技术与软件工程》
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2014 |
0 |
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17
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用邓小平理论统一思想 标本兼治反腐败 |
张兴尧
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《党政干部论坛》
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1999 |
0 |
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18
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遏制国有资产流失的一柄利剑──怀化市鹤城区全面推行财务总监制度 |
张兴尧
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《湖南经济》
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2000 |
0 |
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19
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串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 |
张兴尧
郭旗
陆妩
张孝富
郑齐文
崔江维
李豫东
周东
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
3
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20
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Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 |
张兴尧
郭旗
张乐情
卢健
吴雪
于新
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《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
3
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