金属预置层后硒化法制备的CuInSe_2薄膜结构特性研究

CuInSe2 (简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2 薄膜。薄膜的XRD图样显示 :CuInSe2 薄膜的形成与制备条件密切相关 ;在较大Cu、In原子比的范围内 ,在一定的硒化条件下 ,都可以形成以CuInSe2 为基体的薄膜。SEM图样显示 ,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同。Cu/In接近 1时 ,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示 ,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织 ,在 6 32 .8nm激发波波长下 ,还有 2 10cm-1和 2 2 9cm-1两处的特征峰。通过光吸收测量得到CuInSe2 的带隙是 1.0 5eV ,通过电导率测量得到其激活能为 0 .4 86eV。

胡状集油田胡十二块非均质研究

胡十二块属于严重非均质油藏 ,非均质性严重制约了胡十二块的进一步开发。本文应用了劳伦兹曲线对胡十二块层间、层内宏观及微观非均质进行了研究 ,并结合油田注水开发 ,利用产液剖面和吸水剖面对非均质及其变化进一步研究 ,对引起变化的原因及储层敏感性作了探讨。通过对胡十二块非均质的研究 。

胡状集油田胡十二块采收率研究

胡十二块属于严重非均质油藏 ,经过十几年的注水开发 ,目前开发面临着高含水、低采出的问题。为了更好地提高区块的注水采收率 ,运用室内试验资料、国内外经验公式及矿场资料 ,用多种方法对胡十二块注水采收率进行了预测。经分析研究后认为 :胡十二块具有提高注水采收率的潜力 ,应在提高注水波及体积上做工作 ;并提出了胡十二块今后进行区块治理要运用细分层系开发、对局部井网进行注采关系完善、层内调剖及三次采油等常规方法 ,来扩大注水波及体积 。

用生产测井资料分析胡七南断块剩余油饱和度分布状况

基于胡七南断块的生产测试资料、岩心分析资料、相对渗透率资料和油田地质与生产开发状况等资料 ,运用系统软件 ,分析该断块的剩余油分布状况 ,确定该断块目的层段的剩余油分布富集区及水淹区 ,并以此为依据对区块进行综合治理 ,取得较好的开发效果。

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .

电化学沉积氧化镍薄膜的制备及其电致变色

本文利用正交实验，对电沉积氧化镍薄膜的制备技术进行了研究，找出了基底的最佳预处理条件和制备条件，并对薄膜的电色性能及结构特性进行了研究。

东濮凹陷油气藏成藏规律研究

在东濮凹陷 ,洼陷的勘探有利目标应在烃源岩 ,中央隆起的勘探有利目标应在盖层之下。因为在洼陷处无断层、地层连续、油气横向运移 ,如遇有利圈闭即可聚集成藏 ;若有断层 ,则有可能向上运移至高部位 ,在圈、运、保三方面条件较好的地方聚集成藏。以主要接受前梨园洼陷 (区内最大的生油洼陷 )供油的白庙构造油气藏为例说明 ,生油岩是前梨园沙三3～ 4 地层 ,油气在邻近生油洼陷的前 8块中首先富集 ,然后顺断层向白庙构造高部造运移。正是这种运移成藏式作用 ,形成了白庙地区油气藏在构造高部位以中浅层富集为主 ,构造低部位以中深层油气藏分布为主的油气藏分布格局。

东濮凹陷胡十二块剩余油分布特征及挖潜对策

剩余油分布特征是油田开发地质工作需要解决的主要问题之一。本文应用动态分析法半定量地描述了东濮凹陷西斜坡带主力区块胡十二块小层剩余油分布状态 ,对该块剩余油在油藏平面、层间和层内的分布特征进行了详细研究 ,并针对 4种剩余油分布类型提出相应挖潜技术对策 ,为高含水后期油田挖潜提供了必要依据。

SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。

准噶尔盆地白家海—五彩湾地区苍房沟群和小泉沟群层序地层学研究

基于Vail为代表的层序地层学理论 ,引入了高分辨率层序地层学中的基准面和可容空间的概念 ,综合运用地质、测井和地震资料 ,对准噶尔盆地白家海五彩湾地区的层序地层进行了研究。将研究区的苍房沟群和小泉沟群划分为A ,B ,C ,D 4个层序 ,分别对应梧桐沟组、韭菜园子组、烧房沟组和小泉沟群。同时依据基准面升降旋回的概念 ,将每一个层序都划分为基准面的上升和下降旋回。综合考虑可容空间、沉积物供给以及两者的匹配关系 ,建立了 5种层序地层模式。研究结果表明 。

Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究

采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2 Sn S3 ) 72 z(三斜或假单斜晶系 )结构 ,其直接光学带隙约为 1 .0 5 e V。

WO_3/Ni(OH)_2·xH_2O电致变色薄膜的电色互补性研究

对WO_3／Ni（OH）_2·xH_2O这两种电致变色薄膜的电色互补性原理及其电色特性进行了研究，发现利用三氧化钨和氧化镍薄膜的电色互补性能够较好地改善双层膜的电色特性。为灵巧窗等电色器件的应用奠定了理论基础。

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn_(1-X)Ga_XSe_2/CdS的影响

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-XGaXSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-XGaXSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIn0 7Ga0 3Se相的形成,这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响,这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的,而非普通的热处理所致。

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。

LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜

针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。

孟岗集洼陷勘探潜力分析与勘探目标评价

通过对孟岗集洼陷勘探潜力的分析与勘探目标区的综合评价 ,提出了孟岗集洼陷下一步的勘探重点 ,对孟岗集洼陷下一步的勘探工作有一定的指导意义。

天基遥感中航天器挠性对成像区域的影响

针对遥感敏捷卫星机动模式对地成像观测,分析挠性附件振动对卫星成像区域和质量的影响。首先利用有限元法和拉格朗日法建立带挠性附卫星的动力学模型;然后通过星地几何法计算成像条带;最后分别选取太阳同步轨道和地球同步轨道,以两个对称的太阳能帆板作为挠性附件,给出数值仿真结果。仿真结果表明,卫星机动完成后,成像区域横滚方向与俯仰方向均偏差较大,导致成像区域错位;太阳帆板振动对成像区域的影响随着其振动减弱而减弱,并逐渐趋于稳定。卫星轨道高度越高,扰动对于卫星成像区域的影响越大,需要更长时间稳定自身姿态。

胡十二块油藏流体性质研究

胡十二块目前面临着高含水低采出程度的问题 ,造成该状况的主要原因是胡十二块为严重非均质油藏。通过对胡十二块油藏内流体性质及变化规律的研究 ,充分认识了胡十二块原油物性、化学组成及油田水在注水开发中的变化 。

油藏描述技术在胡庆油田应用的探讨

油藏描述是近二十年来发展起来的被广泛应用于油田开发的实用技术系列,本文对近几年胡庆油田进行的油藏描述状况进行了总结,并分早中晚期三个阶段对油藏描述的主要任务、基础资料及重点内容作了总结,对胡庆油田各区块目前所处的开发阶段进行了分类,有力指导了这些块今后进行基础研究的方向。

二次结实板栗产量形成与其枝生长发育理化特性的相关性分析

应用逐步回归和方差分析方法，对二次结实板栗产量形成与其枝生长发育理化特性的相关性作了分析，表明结果枝数量、雌花数量和枝条磷含量与结果母枝粗度呈正相关，而结果母枝粗度与氮含量成负相关，结果母枝磷含量除与氮含量呈负相关外，与结果枝数量及形成的雌花数量则呈正相关。同时就二次结实板栗二次生长发育、结实的相关性进行了分析，证实其二次生长结实关系为负相关，即二次结实板栗不仅在二次生长上存在相互制约的负相关，而且在着花结实上也存在相互制约的负相关。