环氧氯丙烷生产工艺的研究现状

综述了环氧氯丙烷传统生产工艺的改进及新工艺开发方面的研究现状,分析了不同工艺路线的优缺点,重点介绍了甘油法和氯丙烯直接环氧化法制环氧氯丙烷的催化剂体系和生产工艺情况。甘油法由于可有效利用生物质资源、生产工艺流程简单,是继丙烯高温氯化法之后较为成熟的生产工艺;氯丙烯直接环氧化法作为绿色的环氧氯丙烷合成工艺,其研究重点要放在低成本催化剂的设计和工艺的集成降耗上。

机械蒸汽压缩蒸发技术研究现状与发展趋势

针对机械蒸汽压缩(MVC)蒸发系统的研究存在以下三个问题:(1)针对工作原理,没有提出更为深入的热力过程描述;(2)针对流程型式,没有建立更为全面的分类体系与方法;(3)针对应用案例,没有归纳更为系统性的设计和运行规律。基于此,重点介绍了MVC蒸发系统的原理与系统组成、分类与流程型式、应用与工程案例,综述了MVC技术的研究现状、存在问题与未来发展趋势。

射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究

利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。

衬底温度对直流磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文)

利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验所制备ZnO:Zr薄膜的晶化程度和导电性能对衬底温度有很强的依赖性。当衬底温度为300℃时,ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率7.58×10-4Ω.cm,其可见光平均透过率超过了91%。

铝锆共掺杂氧化锌透明导电薄膜的低温制备及特性研究

利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的铝锆共掺杂氧化锌(ZAZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZAZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。实验结果表明,溅射功率对ZAZO薄膜的结构、形貌和电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究结果表明,ZAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当溅射功率为120 W时,薄膜的电阻率达到最小值5.28×10-4Ω.cm,其可见光区平均透过率超过94%。

罗茨风机驱动机械蒸汽再压缩热泵蒸发器系统运行特性的试验研究

试验研究罗茨风机驱动下机械蒸汽再压缩热泵的运行特性,以水为试验介质,研究系统性能参数如总蒸水量、系统压比等随蒸发温度的变化规律,得出总蒸发水量随着蒸发温度升高而增加,增加幅度较为明显;系统压比随蒸发温度的升高而降低,但降低幅度不大;容积效率、绝热内效率、制热性能系数、换热系数均随着系统蒸发温度的升高而升高的结果。结论为该型号罗茨风机驱动MVR系统适合蒸发量和沸点温升不大的高温工况运行场合。

利用直流磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr新型透明导电薄膜(英文)

室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO∶Zr薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。实验获得ZnO∶Zr薄膜的最小电阻率为2.4×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率为18.9 cm2.V-1.s-1,载流子浓度为2.3×1020cm-3。实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光平均透过率超过92%。

高介电常数栅极电介质材料的研究进展

随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它。目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一。主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景。

柔性透明导电薄膜ZAO

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望。

氮化硅薄膜的制备方法及主要应用

氮化硅薄膜具有优良的光电性能、绝缘耐压性能、机械性能以及钝化性能等，在光电子、微电子等大规模集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用。重点评述了制备氮化硅薄膜的几种常用方法，并介绍了氮化硅薄膜的主要性能及其应用。

p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的Si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-Si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV.cm2),其界面特性达到了制备高质量p-SiTFT栅绝缘层的性能要求。

掺Al ZnO柔性透明导电薄膜研究进展

柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状。介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构、光电特性、典型制备方法和应用前景。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作进行了展望。

透明导电薄膜ZnO∶Zr的制备及特性研究

利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。在溅射功率为115W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7cm2.V-1.s-1和2.07×1020cm-3。所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%。

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。

薄膜厚度对Mn-W共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的Mn-W共掺杂ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。X射线衍射结果表明ZMWO均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。薄膜厚度对ZMWO薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响。当薄膜厚度从97 nm增大到456 nm时,ZMWO薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小。当厚度为456 nm时,所制备ZMWO薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5Ω.cm,方块电阻为1.9Ω/□。所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89%。当薄膜厚度从97 nm增大到456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV。

在柔性衬底上制备透明导电薄膜ZnO:Zr(英文)

采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底和玻璃衬底上制备ZZO薄膜的择优取向不同,前者为(100)晶面,而后者为(002)晶面。在有ZnO缓冲层的PET衬底上制备的ZZO薄膜电阻率比直接生长在玻璃衬底样品上的小。通过优化参数,在PET衬底上制备出了最小电阻率为1.7×10-3Ω.cm、可见光透过率超过93%的ZZO薄膜。实验表明,镀膜之前在柔性衬底上沉积ZnO缓冲层能有效地提高ZZO薄膜的质量。

透明导电薄膜ZnO∶Mn的低温制备及性能研究

利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锰氧化锌(ZnO∶Mn)透明导电薄膜。实验制备的ZnO∶Mn为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO∶Mn薄膜的生长速率、残余应力及电学性能有很大影响,而对薄膜的晶粒尺寸和光学性能影响不大。考虑薄膜的电学、光学及力学性能,认为靶与衬底之间的最佳距离为7.0 cm。在此条件下制备的ZnO∶Mn薄膜的电阻率达到4.2×10-4Ω.cm,可见光透过率为86.6%,而残余应力仅为-0.025 GPa。

罗茨水蒸气压缩机性能实验研究

压缩机是蒸气压缩蒸发系统的核心设备,会显著影响系统的能耗和运行稳定性。本文搭建了基于罗茨压缩机驱动的蒸气压缩蒸发实验台,蒸发温度为80~100℃,蒸发压力为46.60~101.64 kPa,压缩机压升为17.86~36.03 kPa,蒸发量为125.72~424.85 kg/h,实验研究了吸气流量、压缩比功、容积效率和等熵效率随蒸发温度的变化规律。结果表明:随着蒸发温度的升高,吸气流量(7.10~11.74 m^(3)/min)逐渐升高,压缩比功(310.69~158.54 kJ/kg)逐渐降低,容积效率(52.21%~71.54%)和等熵效率(16.48%~36.15%)均逐渐升高,提高工作频率有助于提高压缩机效率,实测容积效率和压缩比功与相关文献数据较为吻合。压缩机容积效率和等熵效率实测值与理论值存在一定误差,但该误差随蒸发温度的升高而减小,罗茨水蒸气压缩机在蒸发温度为90~100℃范围内运行较为稳定、效率较高。

靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr透明导电薄膜性能的影响

利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当靶与衬底之间的距离从60 mm减小到50 mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大。当靶与衬底之间的距离为50 mm时,薄膜的电阻率达到最小值4.2×10-4Ω.cm,其可见光透过率超过95%。实验制备的ZnO∶Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。

声光效应的实验研究

利用LD泵浦全固态固体激光器产生的532nm绿光在SO2000型声光效应实验仪上进行了声光衍射角、声光调制的实验研究,并与650nm红光作了比较.实验得出:532nm绿光的拉曼-奈斯衍射实验效果较好,在实验中很容易将±1级衍射光的光强调制的较强且强度一致,而高级衍射光几乎不会出现,全部能量都分布在0级衍射光和±1级衍射光上,可用来制作双通道声光调制器和声光偏转器.