交联PMMA修饰的PVA绝缘层对P3HT有机场效应晶体管性能的影响

利用1,6-二(三氯甲硅烷基)己烷(C_6-Si)交联的聚甲基丙烯酸甲酯(C-PMMA)修饰聚乙烯醇(PVA)绝缘层(C-PMMA/PVA),并研究了修饰前后绝缘层的表面性质和电学性能。结果表明:经C-PMMA修饰后,虽然绝缘层表面粗糙度从0.386 nm增加到0.532 nm,电容由14.2 n F/cm^2减小到11.5 n F/cm^2,但绝缘层的水接触角显著变大,从36°增加到68°,表明修饰后表面极性显著下降;此外,C-PMMA修饰的绝缘层的漏电流密度降低了约2个数量级。用纯PVA和C-PMMA修饰的PVA两种绝缘层制备了具有底栅顶接触结构的3-己基噻吩(P3HT)有机薄膜场效应晶体管,C-PMMA修饰PVA后器件性能显著提高,开关比提高了约20倍,迁移率增大了约4倍,分别达到~10~2cm^2·V^(-1)·s^(-1)和3.3×10^(-2)cm^2·V^(-1)·s^(-1),而且回滞现象明显降低。

Cs掺杂的高性能(NH_2CH=NH_2)_(1-x)Cs_xPbI_3光电探测器

FAPbI_3有机无机杂化钙钛矿光电探测器还存在一些问题,合成纯α相光敏钙钛矿需要较高的退火温度(150~160℃),不利于柔性器件的制备;另外,在常温下,FAPbI_3容易发生α→δ的相变,器件的空气稳定性很差。本文制备了Cs掺杂的二极管型FA_(1-x)Cs_xPbI_3光电探测器。结果表明,Cs的掺杂一方面有效降低了合成纯α相FA钙钛矿的退火温度,另一方面提高了器件性能以及空气稳定性。对比不同Cs掺杂浓度的器件性能,发现掺杂摩尔分数为10%时,器件性能最优,其开关比可达1.6×10~5,响应速度达到7.1μs,在350~800nm宽光谱范围内探测率都在10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)(Jones)量级。本研究为实现低温制备高性能高稳定性的FA钙钛矿光电探测器提供了一条可行的途径。

在爨底下村的古居前,寻梦

第 一次听到“爨底下村”的名字 是跟一个朋友那儿,当时我很自然的理解为“川底下”。并只知道那是北京门头沟山区里的一个小村落距市区大约90公里。