提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法

本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻法。

原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布

本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果．

金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究

用微波ＣＶＤ方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜，对其场致电子发射特性和机理进行了研究，使该薄膜的场致发射电子激发荧光屏，并观察到发光。

激光直接布线技术在GaAsMMIC中的应用

业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反应,在GaAs衬底上淀积电阻率为30μΩ·cm的W微带线。淀积的W微带线也很容易用激光烧蚀法去除。已用这种方法制备的W微带线成功地调配了一个8GHz GaAs MES FET放大器和一个30GHz单片衰减器。