名声的公共化:消费型偶像在追星类App上的符号表征与意义生成

在追星类App上,偶像的名声从“公共”到“私有”,消费与被消费。消费型偶像的“公共化”,不仅表现在其公共名声的形成和公共行为的展开,更是对其私人关系的建构,包括了对情感、关系等领域的构建。追星类App是互联网时代下粉丝文化生成与传播的新场域,本文对消费型偶像这一现象进行分析发现,通过考察粉丝与其媒介符号之间的关系,揭示出在这个意义建构和消费过程中,媒介公共化过程中偶像在网络社会中身份表征、意义生成发生的变化。

一种空频域联合优化的精确干扰波形设计方法

精确干扰技术是当前新型电子战的热点研究方向之一。为解决准确调节干扰功率空频域分布特性的问题,提出了基于交替乘子法的精确干扰波形设计方法。首先给出了空频域特性联合优化目标下设计恒模精确干扰波形优化问题的数学模型,通过进一步引入变量,将原始目标函数中包含的非凸四次项转化为二次项,从而使优化问题可以通过交替乘子法求解。经理论推导得到交替乘子法每次迭代时的最优闭式解,进而降低了算法的计算复杂度。仿真实验表明,相较已有只优化空域干扰功率分布的精确干扰波形设计方法而言,该算法设计出的精确干扰波形在预设干扰区域内的合成信号具有更好的功率谱分布特性,这更符合实际干扰任务的需求;同时,相较于已有的空频域联合优化算法,提出的算法考虑了波形恒模约束,这更符合工程实现的需要且提出算法的计算复杂度更低,并可以通过并行计算进一步降低运算时间。

一种嵌入式操作系统运行时验证方法

作为测试、模型检验等开发阶段所用技术的有效补充,运行时验证技术越来越受到广泛的关注。然而,当前的运行时验证技术主要用于应用软件,很少专门针对操作系统进行研究。对面向嵌入式操作系统的运行时验证框架和关键技术进行了研究,并结合一个开源嵌入式操作系统FreeRTOS进行了设计与实现。首先提出了一种面向嵌入式操作系统的运行时验证和反馈调整框架,然后针对框架中的关键技术部分,完成了规约语言的设计、三值语义监控器的生成、FreeRTOS嵌入式操作系统相关接口的实现等主要工作。

精确电子战场景下到达波形时延有效性验证

精确电子战技术作为一种以空间功率合成为基础的技术,被用来解决目前限制传统电子战的一系列问题。其通过超稀疏发射机阵列,将干扰能量尽可能集中在目标区域,并尽可能降低其他特定保护区的干扰能量。然而,当前并没有研究对发射机从不同位置到达干扰区域后因延迟能否有效合成信号进行验证。基于窄带信号模型,在已有研究的基础上通过仿真实验验证存在到达时延情况下精确电子战空间功率合成的有效性,为精确电子战后续研究提供充足的实验依据。

一种运行时验证监控器的构造方法

本文结合作者课题内容,介绍了一种运行时验证技术中的监控器构造方法。该方法完整涵盖了从性质规约到监控器模型再到监控程序的全过程,过程中使用了相关开源的第三方软件使得该方法的自动化程度较高。同时由于该监控器的构造是基于三值语义,使得该监控器在一定意义上具有预测性。

多信号模型下精确干扰波形设计方法研究

精确干扰是电子战领域的新概念,核心思想是通过集群无人机将干扰功率高效、精确地投送至目标设备,且不影响友邻设备的正常工作。然而,当前的窄带波形设计方法无法精确控制目标区域内的最低合成功率,在实际中难以实施有效干扰;而现有的宽带波形设计方法的计算效率较低。为了解决上述问题,分别针对窄带和宽带信号模型提出2种精确干扰波形设计方法。在窄带波形设计方法中,以最小化友邻区域的最大合成功率为目标,并将目标区域的最小合成功率高于给定阈值作为约束条件,以半定规划方法求解波形协方差矩阵;在宽带波形设计方法中,首先将波形的四次目标函数降为二次,然后以交替最小化方法进行求解。仿真实验表明,提出的窄带波形设计方法较现有算法具有更好的干扰有效性,宽带波形设计方法具有更高的计算效率。

基于FDS区分热老化和水分对油纸绝缘状态的影响研究

为区分热老化和水分对频域介电特性的影响,将FDS法应用于变压器主绝缘的老化和受潮状态评估。通过绝缘诊断仪对制备的老化和水分试品进行FDS测量,提取1 mHz及0.1 mHz为老化试品特征频率,100 Hz、1 kHz为水分试品特征频率,利用特征频率处的tanδ区分老化和水分对频域介电特性的影响,并给出了特征频率处tanδ与聚合度以及水分含量的定量拟合关系。研究结果表明:聚合度和水分含量与特征频率处的tanδ均呈指数函数关系,tanδ随着聚合度增大而减小,随着水分含量的增大而增大。

基于FDS法研究水分含量对特征频率处介质损耗的影响

为研究水分对油纸绝缘系统的影响,分别在30℃和60℃下对试验室制备的试品进行频域介电谱(FDS)测量,通过对所得试验结果进行分析,选取特征频率处的介质损耗和水分含量进行拟合,并获得相关的拟合关系。研究表明:水分含量和特征频率处的介质损耗呈指数函数关系,随着水分含量的增大介质损耗也增大,其增长速率也逐渐增大,且频率越小其增长速率越大;在同一特征频率处,温度越高介质损耗的增长速率越大。