KOH二次活化对PAN基活性碳纤维结构性能的影响

以Courtaulds公司的聚丙烯腈(PAN)纤维为原料,通过自主研发的碳纤维生产线制备出预氧化纤维,对其用连续化活化炉进行水蒸气物理活化,再经过KOH溶液浸渍,最后通过连续化活化炉进行化学活化,制备出具有高吸附性能的聚丙烯腈基活性碳纤维(PAN-ACFs)丝束。通过比表面积(BET)、红外光谱(FT-IR)、广角X射线衍射(WAXD)和碘吸附等表征测试手段研究了KOH对PAN-ACFs孔结构的影响。结果表明:逐步增加KOH的浓度,PAN-ACFs的碘吸附值明显增大,拉伸强度明显降低;当w(KOH)为15%,活化温度为850℃,活化时间为20 min时,所制备的PAN-ACFs具有相对较高的吸附性能、力学性能和碳化收率。

热固性双醛淀粉胶黏剂的制备及性能研究

以双醛淀粉为主要原料合成淀粉胶黏剂,采用交联剂异氰酸酯对其进行改性,研究聚乙烯醇(PVA)加入量、pH、异氰酸酯改性剂的添加量、热压温度对淀粉胶黏剂胶接性能的影响。结果表明:当反应体系pH为2.0、PVA加入量(质量比)为5.0%、异氰酸酯改性剂添加量为双醛淀粉的20%、热压温度为110℃时,制得的胶合板性能满足Ⅱ类胶合板的使用要求。

4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。

网状斑点不良分析研究

针对网状斑点(Emboss Mura)不良现象进行系统研究,确定不良发生的机理,并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性,然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量,最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试,对Mura产生的原因提出合理的解释,并给出有效的改善措施。结果表明,Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。