本文给出一种基于粒子群优化算法的BSIM SOI MOSFETs模型参数提取方法.该方法采用全局优化策略,计算简单,对初值依赖性低,使用浮点数编码方法,避免了数码转换时所出现的误差.与遗传算法参数提取相比,粒子群优化算法无需进行交叉、变异...本文给出一种基于粒子群优化算法的BSIM SOI MOSFETs模型参数提取方法.该方法采用全局优化策略,计算简单,对初值依赖性低,使用浮点数编码方法,避免了数码转换时所出现的误差.与遗传算法参数提取相比,粒子群优化算法无需进行交叉、变异等操作,容易理解,易于实现,且收敛速度更快.对用该方法得到的参数值代入器件模型进行了计算,计算结果与测试结果吻合很好.本方法亦可用作对其他种类的MOSFETs进行全局参数提取.展开更多
文摘本文给出一种基于粒子群优化算法的BSIM SOI MOSFETs模型参数提取方法.该方法采用全局优化策略,计算简单,对初值依赖性低,使用浮点数编码方法,避免了数码转换时所出现的误差.与遗传算法参数提取相比,粒子群优化算法无需进行交叉、变异等操作,容易理解,易于实现,且收敛速度更快.对用该方法得到的参数值代入器件模型进行了计算,计算结果与测试结果吻合很好.本方法亦可用作对其他种类的MOSFETs进行全局参数提取.