碲化镉新型β-射线探测器的研制

本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5X10^(-12)A/mm^2,在60℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5×10^(-11)A/mm^(2),因而探测器可在60℃下正常工作.在标准^(85)Krβ—射线源上获得了1.65×10^(-9)A的输出电流。