HPV16阳性和阴性患者宫颈癌组织中miR-27a-3p和HOXB8蛋白的表达差异及其机制研究

目的:探讨mi R-27a-3p和同源盒B8(HOXB8)蛋白在人乳头瘤病毒16型阳性[HPV16(+)]和阴性[HPV16(-)]患者宫颈癌组织中表达的差异及其机制。方法:选取2012年1月-2016年1月于我院就诊的宫颈癌患者120例,根据其是否感染HPV16分为HPV16(+)组(60例)和HPV16(-)组(60例)。采用实时荧光定量聚合酶链反应法检测两组患者宫颈癌组织中mi R-27a-3p和HOXB8 m RNA的表达水平,采用蛋白印迹法检测HOXB8蛋白的表达水平,采用巢式降落式甲基化特异性聚合酶链反应法检测mi R-27a-3p启动子区DNA甲基化水平,采用染色质免疫共沉淀-定量聚合酶链反应法检测mi R-27a-3p启动子区组蛋白甲基化水平;培养人宫颈癌细胞系Si Ha细胞株,考察转染mi R-27a-3p模拟物(mimic)和抑制物(inhibitor)后mi R-27a-3p和HOXB8 m RNA的表达水平。结果:HPV16(+)组患者宫颈癌组织中mi R-27a-3p的表达水平显著低于HPV16(-)组患者,HOXB8 m RNA和蛋白表达水平、mi R-27a-3p启动子区DNA甲基化水平和组蛋白甲基化水平均显著高于HPV16(-)组患者,差异均有统计学意义(P<0.05或P<0.01)。在Si Ha细胞转染mi R-27a-3p mimic后,mi R-27a-3p的表达水平显著升高,而HOXB8 m RNA的表达水平显著降低;转染mi R-27a-3p inhibitor后,mi R-27a-3p的表达水平显著降低,而HOXB8 m RNA的表达水平则显著升高,差异均有统计学意义(P<0.01)。结论:HPV16可能通过启动子区DNA甲基化和组蛋白甲基化下调mi R-27a-3p的表达,从而影响宫颈癌的发生与发展,HOXB8蛋白可能是其作用靶点。

应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。

复方短效口服避孕药在子宫内膜异位症治疗中的应用观察

目的分析影响子宫内膜异位症的相关因素,探讨在子宫内膜异位症治疗中复方短效口服避孕药的作用。方法选取2014年1月至2015年1月到我院进行子宫内膜异位症治疗的患者50例,对患者使用复方口服避孕药进行治疗,观察和分析患者用药前后不同的治疗效果,使用视觉模拟评分法(VAS)对患者进行疼痛评分,并记录用药后的不良反应。结果用药后患者的治疗效果明显高于用药前,许多不良症状都相对减轻,其对比具有显著的统计学意义(P<0.05)。结论在对患有子宫内膜异位症的女性进行治疗时,使用复方口服避孕药这一药物,能有效提高患者治疗效果,帮助患者减轻各类症状。

1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究

为优化1310 nm超辐射发光二极管输出性能,提高器件输出功率,针对J型波导结构的1310 nm超辐射发光二极管的波导结构参数及器件散热能力进行研究。结果表明波导刻蚀深度、弯曲角度和绝缘层厚度是影响器件实现高功率输出的重要因素。基于研究结果对超辐射发光二极管器件结构及工艺进行优化,制备出脊宽5μm、弯曲角度8°、刻蚀深度1.7μm、绝缘层厚300 nm的J型超辐射发光二极管。该器件在室温及500 mA连续注入电流条件下,直波导长度1.5 mm时实现10 nm宽的输出光谱,输出功率达到42.2 mW。

阿司匹林——充满生机的百年经典

介绍阿司匹林的药用及发展历史,阐述其作为解热消炎药的作用机理。

1550nm InAs/GaAs量子点调Q光纤激光器

调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用。半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心波长为1550 nm的QD SA依然是一个巨大的挑战。通过在分子束外延(MBE)生长InAs QD过程中加入两次间断制备了1550 nm InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM),并通过构建光纤直线腔,研制出发光中心波长约为1550 nm的被动调Q光纤激光器。该激光器最大输出功率约为2.5 mW,实现了55 kHz的重复频率,同时达到了1.45μs的脉冲宽度和45.36 nJ的单脉冲能量,表现出了InAs/GaAs QD材料在1550 nm调Q光纤激光器应用中的巨大潜力。

基于ZnO可饱和吸收体的超快激光器

ZnO是一种优异的可饱和吸收体(SA),然而它在近红外波段的光吸收性能较弱,限制了其在超快光子学领域的进一步应用。首先采用水浴法制备了ZnO微球粉末,旋涂到金镜衬底上制备成ZnO-SA,再利用磁控溅射法及热退火在ZnO-SA表面修饰了金纳米颗粒,制备了一种新型的金核壳结构的ZnO-SA。由于金纳米颗粒的表面等离子体吸收效应,将ZnO-SA的调制深度提升至4.07%,非饱和损耗降低至24%。使用这种新型的ZnO-SA成功地提升了调Q激光器的输出特性,同时也构建了稳定的波长为1.55μm环形腔掺铒光纤锁模激光器,最大平均输出功率为2.67 mW,重复频率为3.53 MHz。研究结果表明,这种具有金纳米颗粒修饰的ZnO-SA在制备高性能锁模激光器方面具有巨大的应用潜力。

基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器

锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用。由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力。然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难。采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO_(2)层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4%。使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2%,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW。结果表明,这种带有λ/4厚度SiO_(2)层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力。

基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器

基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜角为4°的前提下,制备了不同斜槽宽度的激光器器件,测试发现,当斜槽的刻蚀宽度为1.5μm时器件的单模输出性能最佳。该器件在70 mA连续电流注入下展现出了高达40 dB的边模抑制比,并且在不同的电流注入下均保持稳定的单纵模输出。在25~70℃的测试范围内,有斜槽时光谱红移速率仅为0.12 nm/℃,远小于无斜槽时0.6 nm/℃的红移速率,进一步证实了斜槽的引入可以有效地实现稳定的单纵模输出,展示出了在光通信应用的潜力。

中红外量子级联超辐射发光二极管的研制

量子级联(QC)超辐射发光二极管(SLD)已经成为众多应用领域(如生物成像、气体探测和红外对抗等)理想的中红外(MIR)宽光谱光源。然而,QC材料基于子带间跃迁的发光模式使其自发辐射效率较低,要获得高功率、宽光谱、可满足实际应用需求的MIR SLD具有非常大的挑战。基于四阱耦合和双声子共振结构的QC材料,并结合仿真模拟设计出新颖的紧凑型分段式波导结构,提高了自发辐射效率,成功研制了发光波长约为5μm的SLD。所制备的器件工作温度达到273 K,光谱半高宽约为485 nm,同时紧凑的波导结构亦有利于形成阵列结构器件来进一步提高其输出功率,为MIR宽光谱光源的实际应用提供参考。

1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器

为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot,QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12mA/量子点层;p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高达51dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性.1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值.

InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。

基于Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的锁模光纤激光器

Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜具有宽光谱吸收和高稳定性的特点。在金镜上采用磁控溅射制备了40 nm厚的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,将其在150℃下退火20 min,退火后Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)由非晶态转变为晶态。测试发现晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的调制深度提高到了原来的1.4倍,基于晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体实现了脉冲宽度为1.52 ps、信噪比为47 dB的光纤锁模激光器。制备了40、60、80 nm的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,分析表明,随着Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜厚度的增加,光吸收率明显增加,这说明Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜的光学性质具有可控性,Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)材料在超快激光器中有应用潜力。

冬凌草甲素对人宫颈癌HeLa细胞线粒体凋亡途径的影响

目的观察冬凌草甲素对人宫颈癌HeLa细胞凋亡的影响,并探讨其诱导HeLa细胞线粒体凋亡的机制。方法体外培养HeLa细胞,分别以0μmol/L(设为空白对照组)、5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L、50μmol/L、100μmol/L冬凌草甲素处理12 h、24 h、36 h、48 h,CCK-8法检测HeLa细胞活力,计算IC50。以0μmol/L、5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L冬凌草甲素处理HeLa细胞24 h,采用Annexin V/PI双染法和TUNEL染色分别检测HeLa细胞凋亡;JC-1染色检测线粒体膜电位(Δψm)改变;Western blotting检测细胞色素c(Cyt c)、B细胞淋巴瘤-2因子(Bcl-2)、Bcl-2相关X蛋白(Bax)的表达;比色法检测半胱氨酸蛋白酶-3(Caspase-3)、半胱氨酸蛋白酶-9(Caspase-9)活性。结果冬凌草甲素抑制HeLa细胞细胞活力呈剂量-时间依赖效应(P<0.05),其12 h、24 h、36 h、48 h的IC50分别为95.63μmol/L、32.24μmol/L、19.58μmol/L和4.13μmol/L;与空白对照组比较,5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L冬凌草甲素组HeLa细胞凋亡率和凋亡指数升高(P<0.05);与空白对照组比较,5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L冬凌草甲素组HeLa细胞Δψm降低(P<0.05);与空白对照组比较,5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L冬凌草甲素组HeLa细胞Cyt c、Bax表达升高(P<0.05),Bcl-2、Bcl-2/Bax比值降低(P<0.05);与空白对照组比较,5μmol/L、10μmol/L、25μmol/L冬凌草甲素组HeLa细胞Caspase-3、Caspase-9活性升高(P<0.05)。结论冬凌草甲素可诱导HeLa细胞凋亡,其机制可能是通过线粒体凋亡途径实现。

不同低温贮藏对粳稻种子发芽及秧苗素质的影响

探讨水稻种子在不同温度处理条件下的发芽和秧苗素质情况,为种质资源的长期保存提供参考。以津川1号、津原45、津稻417、和越光为供试材料,对不同温度处理下粳稻种子的发芽和秧苗素质情况进行了调查。结果表明,当年收获以及低温处理的隔年水稻种子和室温放置处理相比,发芽速度较快,发芽势和发芽指数明显较高,而品种间的差异并不明显。在秧苗素质方面,室温放置条件下的种子,经过发芽培养后,在苗高、叶色、单位苗高茎叶干重以及单苗总根长、表面积、体积和根尖数上明显较低,品种间除茎基部宽厚度、单位苗高茎叶干重和根尖数外,其余各项指标均存在显著差异。

扫描透射电镜对GalnAsSb／GaSb异质结截面的研究

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb／GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明，在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时，将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错，这些缺陷是对应力的一种释放形式，包括60°位错、90°位错和堆垛层错，并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。

探讨Stathmin对卵巢癌细胞增殖、粘附、侵袭、转移的作用研究

目的分析Stathmin在卵巢癌细胞增殖、粘附、侵袭、转移中的作用。方法培养卵巢癌细胞,采用免疫组织化学法检测卵巢癌细胞中Stathmin的表达,根据检测结果的不同将卵巢癌细胞分为高表达组和低表达组,检测两组细胞的增殖、黏附、侵袭、转移能力,进行对比分析。结果高表达组细胞的24h增殖率、黏附率、转移率、侵袭率均高于低表达组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论 Stathmin的高表达能够促进卵巢癌细胞增殖、黏附、侵袭和转移,在卵巢癌的发生和发展中发挥着重要作用。

米非司酮配伍米索前列醇终止妊娠的效果观察

目的：观察米非司酮配伍米索前列醇用于终止80—120天妊娠的剂量及效果，拓展基层医院对此妊娠阶段终止妊娠手术的方案。方法：妊娠80-120天，自愿到我院要求终止妊娠的健康妇女103例，收入住院治疗，应用米非司酮配伍米索前列醇口服，排胎后常规行清宫术，对引流产结果进行观察分析。结果：引流产成功率98．06％，时间30—48小时，住院天数2—3天，失血量50-250毫升，无明显副作用。结论：米非司酮配伍米索前列醇终止80-120天妊娠，是简便，安全，有效的方法，可在临床上推广应用。

多层克隆选择的排序学习方法研究

提出一种基于多层克隆选择的排序学习方法,将克隆选择理论应用于学习排序函数,对传统克隆选择进行改进,使用一种按层变异的方法和一种多层的克隆选择架构逐步进化抗体库,最终得到最优的排序函数。提出的方法在LETOR基准数据集进行评价,结果表明了算法在多数情况下优于基线算法。

妇产科临床上应用米非司酮的探讨

米非司酮是苯基衍生物，进入体内后，发生去甲基化和羟基化作用，并最终代谢成为单去甲基化，双去甲基化及羟基化物，以上三种主要代谢产物对人孕酮和糖皮质醇受体均有较大的亲和力。