双极晶体管基极电阻的电流特性

本文针对基极电阻随电流变化的实验事实,根据基区电导调制效应,提出了工作在大电流密度水平时,基极电阻R_B(I_B)的理论模型;根据复合效应分析了小电流段R_B(I_B)的变化关系.实验结果与理论模型一致.

全欧姆接触结构缩短晶体管贮存时间的研究

本文介绍一种用于减少晶体管贮存时间的全欧姆接触新结构。这种结构使载流子在接触界面两边均能维持其平衡值。使用这种结构在晶体管内为少数载流子和多数载流子提供一种复合通道,在基区和集电区内引进新的复合机构,从而减少了晶体管的贮存时间。实测结果表明,引进附加复合机构后,晶体管的贮存时间缩减为普通结构的30％左右。

集成电路中的MOSFET栅控电阻

工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采用等沟道长度单元MOSFET串联和交叉布局的平衡结构,保证工艺一致.由此制得了线性好、动态范围宽、可调范围大的兆欧级有源电阻.

平面栅静电感应晶体管阻断状态解析模型

给出的这一解析模型,是在合理近似基础上,通过求解二维Poisson方程获得的。其计算值与数值模拟结果相符,而且该模型也是分析平面栅静电感应晶体管特性的基础。

双极模式静电感应晶体管设计要点

在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定性解释。还分析了大注入通态特性与结构参数的关系,为BSIT的关态及通态设计提供了理论依据。