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Hg_(1- x)Cd_x Te禁带宽度附近折射率增强效应(英文)
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作者 黄志明 张展竑 +1 位作者 蒋春萍 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期161-164,共4页
用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度... 用红外椭圆偏振光谱测量了室温下 Hg1 - x Cdx Te(x=0 .2 76 ,0 .30 9,0 .378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率 .对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应 .折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度 .禁带宽度之上折射率随波长 λ变化可用 Sellmeier色散关系 n2 (λ) =a1 + a2 / λ2 + a3/ λ4+ a4/ λ6进行拟合 . 展开更多
关键词 红外椭偏光谱 折射率 半导体 红外材料
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