基于第一性原理的Au、Cu、Sb掺杂CdTe的结构模拟和光学性能预测

基于密度泛函理论研究了Au、Cu、Sb掺杂CdTe体系的电子结构和光学性能。Au、Cu、Sb掺杂CdTe体系均能稳定存在,过渡金属原子与Cd原子轨道的杂化减小了CdTe的带隙,提高了CdTe对可见光的利用,同时降低了光生电子从价带跃迁到导带所需的能量,从而促进了更多的光生电子发生迁移,大大提高了其光学性能。三种掺杂体系中Sb/CdTe体系在可见光范围内光吸收系数提升最显著,其光生电子和光生空穴迁移率相对于CdTe体系分别增加5.97倍和15.54倍。通过计算掺杂体系的能带、态密度、电子布居、光吸收函数、载流子迁移率,从理论上揭示了Au、Cu、Sb提高CdTe光学性能的机理。

超薄压延光伏玻璃生产工艺探讨

超薄压延光伏玻璃是太阳能光伏发电组件的重要辅材。以新建设超薄压延光伏玻璃生产线项目为例,结合设计方案,对超薄压延玻璃生产中熔化、成形、退火等工艺中的新技术及节能环保方面新技术、新装备的应用进行阐述分析,并展望了超薄压延光伏玻璃未来的发展趋势。

增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究

采用能量为14 MeV的中子对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件进行了最高注量为3×10^(14)n/cm^(2)的位移损伤辐照实验。实验结果表明:当中子注量不大于3×10^(14)n/cm^(2)时,器件转移特性曲线向左发生不同程度漂移,曲线斜率增大,阈值电压轻微变化,栅特性不受辐照注量影响,而跨导峰值和关态泄露电流有所改善。此外,不同注量的中子辐照后,器件的饱和漏极电流呈现出下降趋势,且中子注量越大,漏极电流退化越明显。结果分析可知,中子辐照产生的新型位移缺陷影响了沟道二维电子气的迁移率和极化电荷密度,从而导致器件电学特性改变。与此同时,室温退火过程中发现器件特性有部分恢复,归因于辐照产生的缺陷在常温下不太稳定,与其他间隙原子发生复合,缺陷得以消除。

超薄浮法玻璃下表面微细缺陷的表征

利用场发射电子扫描电镜和原子力显微镜对浮法玻璃下表面微细缺陷的形貌进行二维和三维表征,发现表面微细缺陷是由许许多多的微米级的微小划伤、划痕、压痕机附着的微小颗粒组成,单一的缺陷长度为5~20μm,宽度在1μm以下,缺陷纵深5~20 nm。

不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究

氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注,为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件开展不同偏置(开态、关态和零偏置)条件下的γ射线辐照与不同温度的退火试验,分析器件电学性能同偏置条件和退火环境之间的响应规律。结果表明:随着γ射线辐照剂量的增加,器件阈值电压负漂,跨导峰值、饱和漏电流和反向栅泄漏电流逐渐增加,且在开态偏置条件下器件的电学特性退化更加严重;此外,高温环境下退火会导致器件的电学性能恢复更加明显。分析认为γ射线辐照剂量越高,产生的辐照缺陷越多,同时栅极偏压会降低辐照引发的电子-空穴对的初始复合率,逃脱初始复合的空穴数量增多,进一步增加了缺陷电荷的浓度;而高温环境会导致器件发生隧穿退火或热激发退火,有助于器件性能恢复。氮化镓功率器件的辐照损伤过程及机理研究,为其空间环境应用的评估验证提供了数据支撑。