N_2分压对ZrGeN阻挡层微结构及性能影响

采用射频磁控溅射技术在Si(111)基体和Cu之间沉积ZrGeN阻挡层,重点研究了Cu/ZrGeN/Si多层膜系中N_2分压对ZrGeN微结构及阻挡层性能的影响。采用四探针电阻仪、X射线光电子能谱、X射线衍射仪、俄歇电子能谱表征ZrGeN薄膜和Cu/ZrGeN/Si多层膜体系的电阻率、成分、微结构和热稳定性能。ZrGeN薄膜结构在沉积过程中对N_2与Ar气体流量比非常敏感,随N_2/(Ar+N_2)流量比的增加,依次形成多晶、类非晶ZrGeN膜层;较高N_2含量的ZrGeN系统在800℃退火后仍能保持其非晶结构,Cu在其中的扩散速度慢,可以作为扩散阻挡层使用。

5G时代下的智慧园区关键技术与展望

目前,互联网信息技术在各行各业中都发挥着极其重要的价值,成为了推动社会发展的主要力量之一。而以5G移动通信技术的新一代信息技术的推动之下更是使智慧园区建设进入了一个崭新的阶段,借助5G移动通信技术能够更好的助力智慧园区的建设。因此本文对智慧园区建设的必要性及现状进行阐述,根据当前5G技术在智慧园区建设中的实际应用场景进行详细分析。并我国的国情以及企业的实际情况展望智慧园区建设方案,为服务当前智慧园区的建设提供一定的技术路线借鉴。

削壁充填法在内蒙古地区采矿中的应用研究

内蒙古地区矿山地质结构复杂,传统方法对矿山进行开采,存在开采难度大,开采效率低,生产成本高等问题。针对上述问题分析,设计出一种符合内蒙古地区矿山地质结构的削壁充填法采矿,并通过实验论证得出削壁充填法能有效提采矿工作的效率。

5G网络中工业互联网安全问题研究

文章就5G网络中工业互联网的安全问题进行了详细的探讨,并就如何保证其在未来的发展中所采取的措施进行了探讨。当前,我国的工业互联网虽然已经有了长足的进步,但其关键技术的获取和运用仍有一定的距离。从实际使用的观点看,其核心是安全性。由于实际情况日益复杂,基于此,加强对技术研究的分析力度,提出加强互联网安全控制的实际措施,具有非常大的现实意义。

IDC机房交直流供电体制的分析

针对IDC机房在使用中能否改直流为交流的供电方式,就IDC机房交直流供电体制进行了深入探讨。从计算机设备的用电特性着手,对UPS设备以及开关电源的供电特性进行了全面分析。最后发现只有满足以下两种情况才能使用直流开关电源为IDC设备进行供电操作:第一,电源与用电设备的距离足够的近,超过30 m的话就不应当考虑使用直流开关电源作为IDC设备的供电装置;第二,用电设备有很好的功率因数补偿设备,且补偿设备的用电特性与开关电源的供电特性相互匹配。

Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究

利用多靶磁控溅射技术在SiO_2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(<200℃),Cu(Ge,Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu_3Ge相,有效抑制Cu与Si的早期扩散;在高温下(>450℃),Zr原子在Cu_3Ge/SiO_2界面析出并与SiO_2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu_3Ge/ZrO_x/ZrSi_yO_x复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜具有高热稳定性.