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题名离子注入装备发展趋势
被引量:3
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作者
龚杰洪
张彬庭
伍三忠
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2006年第11期5-8,74,共5页
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文摘
简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。
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关键词
离子注入
等效掺杂
大角度注入
低能大束流
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Keywords
Keywords : Ion Implantation
Large tilt implantation
Low energy_high current
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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题名聚焦离子束扫描显像技术
被引量:1
- 2
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作者
彭志坚
张彬庭
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2009年第7期36-37,45,共3页
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文摘
聚焦离子束(FIB)是一种将微分析和微加工相结合的新技术,广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子离子成像。扫描显像技术是FIB的重要功能,主要用于器件精密加工中,校正束与工件的坐标位置,修正像的畸变。还可以在显示器上观察加工工件的表面形貌,使加工更加直观。FIB其它所有的功能和应用都要在扫描离子显微镜所显示的图像下进行,叙述了用于FIB扫描显像的一种新方法。
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关键词
FIB
微细加工
微分析
扫描
显像
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Keywords
FIB
Micromachining
Microanalysis
Scanning
Imaging
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分类号
TN405.985
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于电力线载波通信的CPU卡预付费电能表的设计
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作者
彭志坚
刘阳新
张彬庭
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2009年第9期54-58,共5页
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文摘
将电力线载波通信技术与CPU卡技术相结合,设计了一款新型的预付费电能表。CDMA多址技术运用于自动抄表系统中,将CPU卡应用于电能表预付费管理系统中,解决了"表难"和"收费难"的同时,也保证了系统的安全性。系统采用SoC芯片设计,具有很高的稳定和实用性。
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关键词
载波通信
CPU卡
码分多址
PL3201
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Keywords
Carrier Communication
CPU Card
CDMA
PL3201
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分类号
TP216
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用
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作者
赵瓛
张彬庭
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机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2013年第4期1-8,23,共9页
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文摘
综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择。
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关键词
锗硅
外延生长
超高真空化学气相沉积
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Keywords
silicon-germanium
epitaxial growth
Ultra High Vacuum Chemical Vapor Deposition
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分类号
TN304.054
[电子电信—物理电子学]
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