P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应

对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明,在注量为1.5×10^(15)cm^(-2)的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化,说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

几种高功率微波介质窗材料的研究综述

高功率微波介质窗的击穿问题已成为高功率微波武器发展的一个技术瓶颈,选择适当的介质材料、提高窗的抗击穿能力是解决此问题的一条重要途径。总结了国内外主要研究机构使用的高功率微波介质窗材料类型及特性,对各自优缺点进行比较分析,并给出了分析结论。

鼓励自主学习的课程设计让我获益良多

“财务数据是管理的基础，财务分析是管理的工具”是我对财务的理解。作为北京广播电视大学开放学院2011年秋工商管理本科的学生，我很荣幸能够参加北京广播电视大学引进的“非财务经理的财务课”的试学课程，所以很期待!

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端

针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.

大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。

联用小剂量的盐酸罗哌卡因和枸橼酸芬太尼对接受手术的老年下肢骨折患者进行腰硬联合麻醉的效果

目的:探讨对接受手术治疗的老年下肢骨折患者联用小剂量的盐酸罗哌卡因和枸橼酸芬太尼进行腰硬联合麻醉的临床效果。方法:将2017年6月至2018年12月在永昌县人民医院进行手术治疗的84例老年下肢骨折患者随机分为甲组(n=42)和乙组(n=42)。对甲组患者联用常规剂量的盐酸罗哌卡因和枸橼酸芬太尼进行腰硬联合麻醉。对乙组患者联用小剂量的盐酸罗哌卡因和枸橼酸芬太尼进行腰硬联合麻醉。然后,比较两组患者的收缩压、舒张压、并发症的发生情况及麻醉的效果。结果:接受麻醉后,乙组患者麻醉的优良率高于甲组患者,P<0.05。接受麻醉后15 min,乙组患者的收缩压和舒张压均高于甲组患者,P<0.05。接受治疗后,乙组患者并发症的总发生率低于甲组患者,P<0.05。结论:对接受手术治疗的老年下肢骨折患者联用小剂量的盐酸罗哌卡因和枸橼酸芬太尼进行腰硬联合麻醉,可取得较好的临床效果。

静脉镇痛泵内联合药物结合穴位针灸治疗全麻LC术后患者恶心呕吐的临床研究

观察静脉镇痛泵内联合药物结合穴位针灸治疗全麻LC术后患者恶心呕吐的发生率。将120例全麻LC术后患者,随机分为ABCD四组,每组30人。在手术结束拔管后,A组(n=30):静脉连接150mL静脉镇痛泵,进行术后镇痛,设定流速2mL/h,镇痛泵内药物配置方法:147mL0.9%生理盐水+舒芬太尼注射液150μg;B组(n=30):静脉连接150mL静脉镇痛泵,进行术后镇痛,设定流速2mL/h,镇痛泵内药物配置方法:139mL0.9%生理盐水+舒芬太尼注射液150μg(3mL)+昂丹司琼16mg(8mL);C组(n=30):不给静脉镇痛,只腧穴内关、足三里针灸;D组研究组(n=30):静脉连接150mL静脉镇痛泵,进行术后镇痛,设定流速2mL/h,镇痛泵内药物配置方法:139mL0.9%生理盐水+舒芬太尼注射液150ug(3mL)+昂丹司琼16mg(8mL),腧穴内关、足三里针灸。患者送入病房后观察2、6、12、24h内各组术后恶心呕吐的发生率。D组术后恶心呕吐发生率最低,明显优于A组、B组和C组(P<0.05),且无其他不良反应。静脉镇痛泵内联合止吐药物结合穴位针灸治疗全麻LC术后患者的恶心呕吐安全有效,经济成本低,值得在临床上推广。