硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。

散射理论方法应用于重构的β－SiC（100）表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的βＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．

硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算

利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.

H,O原子在过渡金属表面吸附能的规则性

用Allan~[1]的简化d带模型描叙过渡金属的表面电子态,用广义相移法计算吸附原子在表面的吸附能,结果表明,不仅很好地描绘了H,O在一个周期的过渡金属表面吸附能的变化趋势,而且所算得的吸附原子感应的分离能级也同紫外光发射谱的实验符合得很好;同时还指出,简单气体在过渡金属表面的吸附能呈现规则性变化主要决定于费密能级E_F与吸附原子的有效能级8_a之差(E_F--8_a),其次是转移矩阵元v和能带宽度w_b。

fcc结构过渡金属(100)表面上杂质与吸附原子的相互作用

用Allan的晶体表面模型,导出了紧束缚固体fcc(100)表面格林函数的解析表达式。用格林函数方法,讨论了fcc(100)表面上原子的化学吸附能以及替代杂质与吸附原子相互作用的一般性质。定性地预言了Ni,Pd,Pt(100)表面上过渡金属杂质对吸附H,O影响的趋势。

硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.