46-04吸气剂提纯氩气的实验与应用

目前,在气体提纯、真空技术、电光源、能源、化工、仪表、食品等许多行业,广泛应用吸气技术和工艺。因此,研制吸气速率快、容量大、价格低、易于保存的金属吸气剂有很大意义。机电部第46研究所与北京半导体材料加工厂合作,研制成功46—04金属吸气剂。该吸气剂采用稀土合金与钛海绵按一定粒度及比例制成机械混合体,在常压和450～600℃工作温度下,可同时吸除氧、氮.一气化碳、二氧化碳、甲烷。

正、负压单晶硅制备的氩气回收站

单晶硅是电子工业的基础材料之一,电子产品的质量与单晶生长的洁净环境有关,因此,对保护气氩的纯度,一般要求在99.995％以上,区熔单晶硅制备对氩纯度要求更高,需在99.999％以上。在硅单晶的制备过程中需要的氩量很大。一座年产5～8吨的单晶硅厂,年耗氩费用可达100～300万元。

稀土合金与海绵钛混剂提纯氩、氮、氢气

涉及稀土合金与海绵钛混剂对氩、氮、氢气提纯的方法,稀土合金与海绵钛混剂是由稀土镧系基合金吸气剂与海绵钛按一定比例组成的混合剂作为纯化剂,该剂能在不同的温度下选择吸除氩、氮、氢气中的杂质气体从而提纯上述气体。提纯后的上述高纯气体纯度达到99.999%(氮、氢)及99.99995%(氩、氦)。实施中纯化剂放入设计有不同温区的纯化炉管中,控制炉管各区的温度达到一炉用于提纯多种气体的作用。采用一种纯化剂、最简单的一级工艺、最低的成本替代了采用多种纯化剂,多级集成工艺制造高纯度的氩、氮、氢气体的方法,实现了一机多用。在以上气体的提纯行业中具有很大的应用价值和经济效益。

硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备

论述了：1）使用本征导电性硅环作为籽晶,采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制等径的具有p型、n型或本征导电性的硅管;2）用p型或n型硅管作为化学西门子法还原炉中的热载体,当载体加热温度在1050 ～ 1100℃时,还原炉内高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上,制备纯度99.99999％以上的本征或导电性的硅管多晶硅;3）用本征导电性的硅管作为容器,装入纯度大于99.99％的物理冶金法生产的原料硅,采用区熔单晶硅炉,用悬浮区域炼熔法对硅管多次定向凝固,利用分凝效应制备纯度大于99.9999％的硅管太阳能级多晶硅棒.