基于栅极限流的SiC MOSFET栅电荷测试方案

SiC MOSFET是一种高性能的电力电子器件,其开通/关断过程中积累/释放的栅电荷Q_(g)对MOSFET的开关速度、功率损耗等参数有重要影响。通常采用在栅极设置恒流源驱动,对时间进行积分的方法来测量Q_(g)。为了降低驱动复杂度,提高测试结果精度和可视性,基于双脉冲测试平台的感性负载回路,改用耗尽型MOSFET限制栅极电流实现恒流充电,对SiC MOSFET进行测试。同时利用反馈电阻将较小的栅极电流信号转换为较大的电压信号。实验结果表明:在误差允许范围(±5%)内该测试方案能较为准确地测得SiC MOSFET的Q_(g),测试结果符合器件规格书曲线。

村民都叫我“葡萄王”

我叫王恩文,今年42岁,现任三都水族自治县普安镇前进村党总支书记、山野水晶葡萄合作社理事长。生于斯长于斯。一直以来,前进村石漠化严重,山高坡陡,土壤贫瘠,雨则易涝,晴则易旱,村民大多选择外出务工,我也不例外。然而,每次回家,看到家乡仍然贫困落后,我就很难受。2012年,我被推选为前进村党支部书记。上任第一天,我就暗暗发誓:一定要带领父老乡亲们摘掉贫困落后的帽子。